[发明专利]存储器结构的形成方法

权利要求书

1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层；

形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；

沿所述沟道孔侧壁对所述牺牲层进行回刻蚀，形成位于相邻绝缘层之间的凹槽；

形成至少覆盖所述凹槽内壁表面的高K栅介质层；

在所述凹槽内形成电荷阻挡层；

依次形成覆盖所述沟道孔侧壁表面和电荷阻挡层表面的电荷捕获层、覆盖所述电荷捕获层的隧穿层以及覆盖所述隧穿层的沟道层；

在所述沟道层表面形成填充满所述沟道孔的沟道介质层。

2.根据权利要求1所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述栅介质层。

3.根据权利要求1所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，形成所述电荷阻挡层的方法包括：形成覆盖所述沟道孔内壁表面以及填充所述凹槽的电荷阻挡材料层；去除位于所述沟道孔内壁表面的电荷阻挡材料层，保留凹槽内的电荷阻挡材料层作为电荷阻挡层。

4.根据权利要求3所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述电荷阻挡材料层。

5.根据权利要求3所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性的干法刻蚀工艺去除位于所述沟道孔内壁表面的电荷阻挡材料层。

6.根据权利要求1所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；沿所述栅线隔槽侧壁去除所述牺牲层，形成位于相邻绝缘层之间的开口；形成填充所述开口的控制栅极；形成位于所述栅线隔槽内的阵列共源极。

7.根据权利要求6所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述控制栅极包括覆盖所述开口内壁表面的扩散阻挡层以及位于所述扩散阻挡层表面填充满所述开口的栅极。

8.根据权利要求6所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构包括核心区域和围绕所述核心区域的台阶区域，所述台阶区域暴露出每一层牺牲层的端部；所述衬底表面还形成有覆盖所述台阶区域的介质层；去除所述牺牲层并形成控制栅极之后，所述台阶区域的介质层位于所述控制栅极的端部表面；所述存储器结构的形成方法还包括：形成贯穿所述介质层至控制栅极端部表面的接触部。