[发明专利]一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构

权利要求书

1.一种基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，包括单晶硅基底；

所述单晶硅基底的厚度为100μm；

所述单晶硅基底上设置有镂空图形；

所述单晶硅基底为圆形结构，所述镂空图形设置在所述单晶硅基底的几何中心处；

所述镂空图形为四杆靶，所述四杆靶的狭缝宽度为44μm至56μm，狭缝长度为350μm；

所述单晶硅基底的反射面上设置有高反射率膜；

所述高反射率膜上设置有保护膜。

2.根据权利要求1所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述高反射率膜为金膜，所述保护膜为硫化锌膜。

3.根据权利要求2所述的基于单晶硅基底的红外靶标，其特征在于，所述高反射率膜的厚度为150nm，所述保护膜的厚度为200nm。

4.一种基于单晶硅基底的红外靶标的制作方法，其特征在于，包括：

制备单晶硅基底；

对所述单晶硅基底的反射面进行抛光处理；

采用激光切割对所述单晶硅基底进行图案化，形成镂空图形；

在所述单晶硅基底的反射面上镀高反射率膜；

在所述高反射率膜上镀保护膜，形成红外靶标；

将所述红外靶标安装于保护结构中；

对所述红外靶标进行尺寸测量和反射率测量；

对所述红外靶标进行反射率测量，包括：

将标准点源黑体加热至500℃，采用热像仪对准标准点源黑体的辐射口，获得辐射口的第一温场图像；

将所述红外靶标与所述标准点源黑体的辐射呈45°放置，获得辐射口经红外靶标后的第二温场图像；

根据所述第一温场图像和第二温场图像计算获得温度平均值，根据所述温度平均值计算红外靶标的反射率；

所述反射率通过以下公式进行计算：

ε＝(T_e/T_s)⁴；

其中，ε为反射率，T_e为通过第二温场图像获得的温度平均值，T_s为通过第一温场图像获得的温度平均值。