[发明专利]存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201811092078.5 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109326507B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王秉国;宋海;李磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/167 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 形成 方法 | ||
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构；
在所述堆叠结构内形成栅线隔槽，所述栅线隔槽贯穿所述堆叠结构至所述衬底表面；
采用原位掺杂工艺，在所述栅线隔槽内沉积具有掺杂原子的非晶半导体材料层，所述非晶半导体材料层填充满所述栅线隔槽；
对所述非晶半导体材料层在630℃至670℃下退火处理0.5h～1.5h，使非晶半导体材料层结晶，转换为多晶状态的半导体层，所述掺杂原子能够降低非晶半导体材料层退火转换成所述半导体层的晶粒大小，以降低所述衬底发生翘曲的可能性。
2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述掺杂原子为碳原子。
3.根据权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，沉积非晶半导体材料层所采用的反应气体包括：沉积气体和掺杂气体，所述沉积气体包括含硅气体，所述掺杂气体为含碳气体。
4.根据权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述半导体层中碳原子与硅原子的物质的量的比值为5%~20%。
5.根据权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述含碳气体的气体包括乙烯、乙炔、丙烯、丙炔中的至少一种；所述含硅气体包括硅烷和乙硅烷中的至少一种。
6.根据权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述反应气体中碳原子的物质的量和硅原子的物质的量的比值为5%~20%。
7.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层，所述存储器的形成方法还包括：在形成半导体层之前，沿所述栅线隔槽去除所述牺牲层，形成位于相邻绝缘层之间的开口；在所述开口内形成控制栅结构层。
8.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述半导体层之前，形成覆盖所述栅线隔槽侧壁的绝缘侧墙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
