[发明专利]用于将气相反应物分配至反应腔室的设备和相关方法在审
| 申请号: | 201811091186.0 | 申请日: | 2018-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN109545708A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
| 发明(设计)人: | L·吉迪拉;H·特霍斯特;辻直人;須佐吉雄 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
| 地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 第一腔室 气相反应物 流体连通 料位 第二腔室 进料管线 化学品 配置 流量控制器 反应腔室 加压气体 入口开口 分配 气体出口管线 容纳 出口开口 流体通道 载气流 夹带 载气 配备 流动 | ||
1.一种用于将气相反应物分配至反应腔室的设备,所述设备包括:
被配置成用于以第一料位容纳源化学品的第一腔室;
第二腔室,其被配置成用于以第二料位容纳源化学品且通过低于所述第一和第二料位的流体通道与所述第一腔室流体连通;
与载气进料管线流体连通的第一腔室入口开口,所述载气进料管线被配置成使载气流至所述第一腔室中,以使得所述源化学品的蒸气变得夹带于所述载气中以产生所述气相反应物;
第一腔室出口开口,其与气体出口管线流体连通且被配置成用于从所述第一腔室分配所述气相反应物;以及
与配备有流量控制器的加压气体进料管线流体连通的第二腔室入口开口,所述流量控制器被配置成用于控制所述第二腔室中的加压气体的流动以控制所述第一腔室中的所述第一料位。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述载气进料管线被配置成用于使载气在高于所述第一料位流至所述第一腔室中。
3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括与气体出口管线流体连通的第二腔室出口开口,所述气体出口管线被配置成从所述第二腔室释放至少一部分所述加压气体。
4.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括可操作地连接至所述加压气体进料管线的所述流量控制器以控制所述加压气体的流动的控制单元。
5.根据权利要求4所述的设备,其进一步包括与所述控制单元可操作地连接以测量所述第一腔室中的第一料位的液位传感器,且所述控制单元经编程以基于测量的第一料位通过所述流量控制器来控制所述加压气体向所述第二腔室中的流动,以将所述第一料位调节至基本恒定位准。
6.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括安置于所述第二腔室内且接触所述源化学品的额外液位传感器。
7.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括与蒸气进料管线流体连通的额外第二腔室入口开口,所述蒸气进料管线被配置成用于使额外源化学品流至所述第二腔室中。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一腔室包括内筒且所述第二腔室包括与所述内筒同心安置且围绕所述内筒的部分空心的外筒。
9.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括安置于所述内筒与所述外筒之间的加热设备。
10.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括安置于所述第一腔室周围的加热设备。
11.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括安置于所述第二腔室周围的加热设备。
12.根据权利要求1所述的设备,其中容纳于所述第一腔室和所述第二腔室内的源化学品的总体积大于4升。
13.根据权利要求1所述的设备,其中跨越所述源化学品的总体积的温度梯度小于1℃。
14.一种用于将气相反应物分配至反应腔室的方法,所述方法包括:
提供用于以第一料位容纳源化学品的第一腔室;
提供第二腔室,其被配置成用于以第二料位容纳源化学品,通过低于所述第一和第二料位的流体通道与所述第一腔室流体连通;
使载气通过第一腔室入口开口流至所述第一腔室中,其中所述载气流至所述第一腔室中使得所述源化学品的蒸气变得夹带于所述载气中以产生所述气相反应物;
通过与出口气体管线流体连通的第一腔室出口开口从所述第一腔室分配所述气相反应物;以及
通过第二腔室入口开口控制加压气体向所述第二腔室中的流动以将所述第一料位调节至基本恒定位准。
15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括通过第二腔室出口开口从所述第二腔室释放至少一部分所述加压气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





