[发明专利]一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法

权利要求书

1.一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法，其步骤如下：

S1：将需要加工出来的超窄线宽、线距电路图形在金属化陶瓷基板的金属化层以非完全蚀刻方式直接加工出来；

S2：将阻蚀浆料整体印刷覆盖在蚀刻出来的电路图形上，然后烘干、硬化；

S3：将印刷或覆盖有阻蚀材料的金属化陶瓷基板再经过常规的化学蚀刻快速去除掉残余的金属，实现完全蚀刻；

S4：将经过完全蚀刻的金属化陶瓷基板通过化学处理或物理处理去除阻蚀材料，完成金属化陶瓷基板超窄线距图形的制作。

2.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：步骤S1中采用激光蚀刻与化学蚀刻相结合的方式将线路图形以非完全蚀刻方式将超窄线宽、线距图形蚀刻出来，以实现非完全蚀刻。

3.根据权利要求2所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：步骤S1中采用化学蚀刻方式将线路图形以浅层蚀刻方式蚀刻出来后，再采用激光蚀刻或机械加工的方式将图形加深，以实现非完全蚀刻。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：金属化陶瓷基板线宽、线距尺寸≤100μm。

5.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：通过丝网印刷、涂覆或直接通过刷胶机将阻蚀材料印刷覆盖在蚀刻出来的电路图形上。

6.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：金属化陶瓷基板包括但不局限于DBC、DBA、AMB或DPC陶瓷金属化基板，陶瓷种类包括但不局限Al₂O₃、高强度Al₂O₃、ZrO₂、ZrO₂增韧Al₂O₃、AlN、Si₃N₄、SiC、蓝宝石或玻璃，金属化层包括但不限于Cu、Al或Ni。

7.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：S1所描述的激光蚀刻或机械加工出来的图形为非完全蚀刻，激光蚀刻深度或机械加工深度小于金属化层的厚度。

8.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：步骤S1最终非完全蚀刻方式结束后残余的金属化层厚度大于等于20μm。

9.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：S2中阻蚀浆料包括但不局限于阻焊油墨或修版油墨。

10.根据权利要求1所述的一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距电路图形的方法，其特征在于：S3中，实现完全蚀刻步骤为将线距位置的残余的铜全部蚀刻完毕直至陶瓷层。