[发明专利]一种能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法

权利要求书

1.一种能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将结构导向剂与固体原料进行研磨混合得到研磨后的混合物；

S2、将研磨后的混合物放入反应釜中，在160～190℃下进行晶化反应24～44h，得到晶化后的固体产物；

S3、将晶化后的固体产物烘干，焙烧，得到所需的沸石分子筛，

其中，所述结构导向剂选自模板剂和晶种中的至少一种；所述固体原料为硅源、碱源和铝源；所述焙烧的条件为：焙烧气氛选自氧气和氮气中的至少一种，以1℃/min～10℃/min的速率升温至焙烧温度400～800℃，焙烧时间1～24h。

2.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述焙烧气氛由氧气和氮气组成，其中氧气的体积含量为1～100％℃。

3.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，步骤S1中，所述结构导向剂为模板剂，硅源以SiO₂计、铝源以Al₂O₃计、碱源以Na₂O计，各组分的摩尔比为SiO₂:Al₂O₃:Na₂O:模板剂＝1:0.004～0.03:0.1～0.5:0.1～0.3。

4.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，步骤S1中，所述结构导向剂为晶种，晶种的加入量为硅源质量的4～10％。

5.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述硅源由无机硅和有机硅烷水解制备的有机硅组成。

6.根据权利要求5所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述有机硅烷选自二甲基二甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、正十二烷基三甲氧基硅烷、正十六烷基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷和二苯基二甲氧基硅烷中的一种或几种。

7.根据权利要求5所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述无机硅选自九水硅酸钠、固体硅胶和白炭黑中的一种或几种。

8.根据权利要求5所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述有机硅占所述硅源的质量百分比为10～40％，所述无机硅占所述硅源的质量百分比为60～90％。

9.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述铝源选自硫酸铝、偏铝酸钠和纳米氧化铝中的一种或几种。

10.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述模板剂为四丙基胺盐。

11.根据权利要求10所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述四丙基胺盐选自四丙基氢氧化铵、四丙基溴化铵和四丙基氯化铵中的一种或几种。

12.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述晶种为ZSM-5沸石。

13.根据权利要求1所述的能够改善ZSM-5沸石分子筛浸润性的合成方法，其特征在于，所述碱源为氢氧化钠。