[发明专利]温度均衡数据恢复方法以及系统、存储介质

说明书

温度均衡数据恢复方法以及系统、存储介质，涉及数据存储装置以及方法，方法包括以下步骤：在存储芯片写入数据时，记录写入温度T1；写入完成后，实时监测存储芯片所处的环境温度T2；当存储芯片被读取数据时遇到不可纠错误时，查询这笔不可纠错误的数据的写入温度T1；根据查询到的写入温度和当前的实时环境温度T2，计算温差值；根据不同的温差值采用不同的数据恢复方法和参数进行数据恢复。当存储芯片被读取数据时遇到不可纠错误时，首先查询该数据的写入温度得到与当前环境温度的差值，然后根据差值的大小选择合适的数据恢复方法和参数进行数据恢复，选取更适合的恢复方法和参数对数据进行恢复，恢复效果好，数据固化更牢靠。

技术领域

本发明涉及数据存储装置以及方法，属于数据存储的方法领域。

背景技术

随着闪存的更新换代，闪存中存储的数据对温度的变化越来越敏感，譬如，高温下写入的数据,在低温下读取出错的机率会大幅度增加,反之也是。

然而，越来越多的闪存比如SSD固态硬盘或是存储阵列在工业场合被使用，而这些场合的环境温度的变化是十分宽泛的：从-40℃-+85℃，这这种大温差环境下工作环境下，闪存中写入的数据会随着外界环境温度的变化发生变化，即存储芯片中的0、1数码状态发生改变，当改变到一定程度后，会导致存储的数据、文件发生损坏或是丢失。

现有技术中尚没有较好的解决方案，业界通常的方法是建立备份，即在特定的恒温环境中建立服务器或是存储中心来备份保存关键的数据，显然该种方案并不适合所有的用户，特别是不适合个人消费用户以及中小企业使用。另外，即使是进行数据重新或是恢复，也只是使用一般的方法进行，往往效果不好。

发明内容

本发明是为了解决上述宽温差条件下，现有技术不能较好的实现数据可靠读写而不能低成本、简易地进行数据恢复而进行的，目的在于提供一种温度均衡数据恢复方法以及系统、存储介质。

本发明提供一种温度均衡数据恢复方法，其特征在于，包括以下步骤：

在存储芯片写入数据时，记录写入完成时的写入温度T1；

实时监测存储芯片所处的环境温度T2；

当存储芯片被读取数据时遇到不可纠错误时，查询这笔不可纠错误的数据的写入温度T1；

根据查询到的写入温度和当前的实时环境温度T2，计算温差值；

根据不同的温差值采用不同的数据恢复方法和参数进行数据恢复。

本发明提供的温度均衡数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，记录写入温度T1的过程包括：

将存储芯片划分为多个存储区域，所述区域包含多个存储单位；

随着数据被写入到存储单位中，当存储单位被写满时，就记录该时刻对应的温度T1，并被作为元数据写入存储，得到每个存储单位对应的写入温度T1。

本发明提供的温度均衡数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，所述存储单位为存储块或存储页。

本发明提供的温度均衡数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，所述写入温度T1、环境温度T2由存储芯片上温度传感器检测得到。

本发明提供的温度均衡数据恢复方法，还可以具有这样的特征，其中，数据恢复方法包括read retry，参数包括参考电压。

本发明提供的温度均衡数据恢复方法，还可以具有这样的特征，read retry尝试用不同的参考电压来读取存储芯片中的数据，直到读出来。

本发明提供的温度均衡数据恢复方法，还可以具有这样的特征，将完整恢复的数据再回写到新的存储单位中，同时记录下写入时的写入温度T1。