[发明专利]一种湿法刻蚀方法

权利要求书

1.一种湿法刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）硅片在滚轮上进行传送，传送到刻蚀槽时，用HNO₃/HF混合液对硅片背面进行刻蚀，刻蚀后硅片减薄量0.2-0.4g，反射率18%-40%；

（2）刻蚀槽完成后传送进花篮，然后通过机械臂将花篮抬起放入水槽，进行纯水洗；

（3）水洗完成后，然后通过机械臂将花篮抬起放入碱槽，进行KOH碱洗；

（4）碱洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入水槽，进行纯水洗；

（5）水洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入酸槽，进行HF酸洗；

（6）酸洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入水槽，进行纯水洗；

（7）水洗完成后，通过机械臂将花篮抬起放入烘干槽，进行烘干。

2.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤2）水洗的温度40-60℃，时间为2-5min。

3.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤3）KOH碱洗的质量浓度为3%-5%，温度20-30℃，时间3-7min。

4.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤4）水洗的温度40-60℃，时间5-10min。

5.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤5）酸洗的质量浓度8%-15%，温度20-30℃，时间5-10min。

6.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤6）水洗温度50-70℃，时间3-8min。

7.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀方法，其特征在于，步骤7）烘干温度60-80℃，时间6-10min。