[发明专利]氮化硅介电层的制作方法、约瑟夫森结及超导量子比特有效
| 申请号： | 201811080849.9 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109285760B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 冯加贵;武彪;熊康林;孙骏逸;黄永丹;郑明昊;丁孙安;陆晓鸣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L39/22 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 硅介电层 制作方法 约瑟夫 超导 量子 比特 | ||
1.一种约瑟夫森结，其特征在于，包括第一超导体层、第二超导体层以及设置于所述第一超导体层和所述第二超导体层之间的氮化硅介电层，其中，所述氮化硅介电层由以下制作方法制作而成，所述的制作方法包括：
在所述第一超导体层上沉积硅薄膜；
对所述硅薄膜进行氮化处理以形成第一氮化硅薄膜；其中，在对所述硅薄膜进行氮化处理的同时，检测所述硅薄膜的氮化程度；
使衬底和所述第一氮化硅薄膜处于氮等离子体气体的氛围中；
利用等离子体辅助分子束外延共沉积法将硅原子喷射至所述第一氮化硅薄膜上进行沉积，同时使所述硅原子与所述氮等离子体气体进行反应，以形成第二氮化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其特征在于，所述对所述硅薄膜进行氮化处理以形成第一氮化硅薄膜的方法包括：
将所述衬底和所述硅薄膜置于真空腔室内；
向所述真空腔室内通入氮等离子体气体对所述硅薄膜进行氮化，以形成所述第一氮化硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其特征在于，所述衬底为超导体。
4.根据权利要求1所述的约瑟夫森结，其特征在于，所述硅薄膜的厚度为3～5个硅原子的原子直径之和。
5.一种超导量子比特，其特征在于，包括基底以及设置于所述基底上的约瑟夫森结，所述约瑟夫森结为如权利要求1至4任一项所述的约瑟夫森结。
6.根据权利要求5所述的超导量子比特，其特征在于，所述超导量子比特还包括覆盖于所述第一超导体层和所述第二超导体层上的第一保护层，所述第一保护层包括氮化硅材料。
7.根据权利要求5所述的超导量子比特，其特征在于，所述超导量子比特还包括设置于所述第一超导体层与所述基底之间以及设置于所述第二超导体层与所述基底之间的第二保护层，所述第二保护层包括氮化硅材料。
8.根据权利要求5所述的超导量子比特，其特征在于，所述超导量子比特还包括覆盖于所述基底的未被所述约瑟夫森结占据的部分上的第三保护层，所述第三保护层包括氮化硅材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811080849.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法
- 下一篇：一种氮化铝膜的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
