[发明专利]在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构在审
| 申请号： | 201811080470.8 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110491828A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 连文华 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 | 代理人： | 席勇;周勇<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 接触孔 阻障层 高密度电浆 材料沉积 高阶梯 室内 覆盖 | ||
1.一种在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法，其特征在于，包含以下操作：
在腔室内产生高密度电浆；以及
利用所述高密度电浆将阻障材料沉积于所述接触孔或所述沟槽上方，其中所述阻障材料的所述沉积至少包含依序的第一沉积步骤、第二沉积步骤以及第三沉积步骤，所述第一沉积步骤、所述第二沉积步骤及所述第三沉积步骤是分别在第一偏功率、第二偏功率及第三偏功率下执行，所述第三偏功率大于所述第二偏功率，而所述第二偏功率大于所述第一偏功率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻障材料包含氮化钛、氮化钨、氮化钽、氧化铟、钴、钌及钽。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一偏功率为100W至550W。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二偏功率为550W至800W。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三偏功率为800W至1200W。
6.如权利要求1所述的方法，在所述阻障材料的所述沉积之前，所述方法进一步包含在所述接触孔或所述沟槽上沉积附着层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述附着层包含钛。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻障材料是沉积于所述接触孔或所述沟槽的底表面上及侧壁上。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述阻障层沉积至所述接触孔或所述沟槽的所述底表面上的厚度为至
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述阻障层沉积至所述接触孔或所述沟槽的所述侧壁上的厚度为至
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻障材料的所述沉积进一步包含第四沉积步骤，所述第四沉积步骤位于所述第三沉积步骤之后，并在第四偏功率下执行。
12.一种接触孔结构，其特征在于，包含：
介电层，包含接触孔，所述接触孔具有侧壁及底表面；
附着层，设置于所述接触孔的所述侧壁及所述底表面上；以及
阻障层，设置于所述附着层上方，其中通过沉积阻障材料于所述接触孔上方而形成所述阻障层，所述阻障材料的所述沉积至少包含依序的第一沉积步骤、第二沉积步骤及第三沉积步骤，所述第一沉积步骤、第二沉积步骤及第三沉积步骤分别在第一偏功率、第二偏功率及第三偏功率下执行，所述第三偏功率大于所述第二偏功率，而所述第二偏功率大于所述第一偏功率。
13.如权利要求12所述的接触孔结构，其特征在于，所述阻障层是沉积于所述接触孔的所述侧壁及所述底表面上，所述阻障层在所述侧壁上具有至的厚度，以及在所述底表面上具有至的厚度。
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