[发明专利]一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块在审
| 申请号： | 201811079007.1 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109411464A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 梅云辉;张心印;李欣;陆国权 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/498;H01L23/15;H01L21/60 |
| 代理公司： | 天津一同创新知识产权代理事务所(普通合伙) 12231 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊膏 基板 纳米银 互连 快速烧结 无压 底板 连续脉冲电流 续流二极管 支路 底板材料 电路样式 电气性能 二次焊接 反向放置 老化能力 散热特性 陶瓷覆铜 无压烧结 芯片并联 循环疲劳 引线键合 真空回流 烧结 安装管 连接桥 密闭剂 预热 变温 镀镍 厚铜 两组 热阻 填充 制备 芯片 印刷 | ||
1.一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块；其特征是底板材料为镀镍的厚铜块或AlSiC，在所述底板上反向放置两块同样电路样式的陶瓷覆铜DBC基板；基板之间通过连接桥连接；两组IGBT芯片和续流二极管芯片并联支路组与基板互连；采用双层印刷变温预热焊膏的方法，芯片与DBC基板之间通过连续脉冲电流辅助无压烧结纳米银焊膏实现瞬时连接；烧结连接时间不大于15秒；再通过引线键合，真空回流二次焊接，安装管壳，填充密闭剂制备IGBT模块。
2.如权利要求1所的模块；其特征是所述的IGBT芯片并联支路组，每块DBC基板上有若干IGBT芯片和续流二极管芯片并联；IGBT芯片与续流二极管芯片数量比为1：1；所述二极管芯片的阳极与其对应的IGBT芯片的发射极电气连接于同一个发射极汇流结构。
3.如权利要求1所的模块；其特征是所述的双层印刷变温预热焊膏的方法是：第一步，在DBC基板待连接区域利用丝网印刷的方式印制一层30μm～40μm的单层纳米银焊膏，置于100℃～120℃加热装置中预热10min～20min，促使该单层纳米银焊膏中的有机溶剂在100℃～120℃充分挥发；第二步，再次利用丝网印刷的方式，在上述预干燥后的纳米银焊膏层再次印制一层30μm～40μm的纳米银焊膏，随后置于130℃～150℃加热装置中预热10min～20min。
4.如权利要求1所的模块；其特征是所述的脉冲电流辅助无压快速烧结纳米银焊膏的连接过程，IGBT芯片和二极管芯片紧密贴装在预热完成的焊膏上，电极预压在DBC基板上，施加直流脉冲电流值为0.8kA～1.0kA，脉冲电流的占空比为75％～80％，电流导通时间为10s～15s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811079007.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装组件及其形成方法
- 下一篇：半导体结构及虚拟图案布局的设计方法
- 同类专利
- 专利分类
