[发明专利]一种对X射线纳米级聚焦的可调式波导系统有效
申请号: | 201811077998.X | 申请日: | 2018-09-16 |
公开(公告)号: | CN109243663B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 王维维 | 申请(专利权)人: | 马鞍山金瓦格机械科技有限公司 |
主分类号: | G21K1/06 | 分类号: | G21K1/06 |
代理公司: | 合肥东邦滋原专利代理事务所(普通合伙) 34155 | 代理人: | 吴晓娜 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射线 纳米 聚焦 调式 波导 系统 | ||
1.一种对X射线纳米级聚焦的可调式波导系统,所述的纳米级聚焦为聚焦后的X射线光斑轮廓的最大直径在45纳米以下,其特征在于:所述的波导系统包括由第一外壳基体(3)和第二外壳基体(7)构成的可调式外壳基体,第一外壳基体和第二外壳基体可进行相对移动,以便在第一外壳基体和第二外壳基体进行相对移动时进行两个波导结构之间的距离(L)调节,第一外壳基体和第二外壳基体中均固定有结构相同的多层薄膜波导结构,多层薄膜为两种材料交替设置,两种材料中的一种材料为导通材料(5,9),所述导通材料使X射线通过,另一种材料作为所述导通材料的间隔层(4,8),所述导通材料为碳薄膜,间隔层材料为过渡金属元素,所述多层薄膜的最外层为间隔层材料,两个多层薄膜波导结构的最外层间隔层材料分别与第一外壳基体和第二外壳基体固定连接,所述第一外壳基体的材料为硅或锗,所述第二外壳基体材料为硅或锗,所述可调式外壳基体整体设置在温度可调腔体(1)中,所述温度可调腔体的温度调节范围为30摄氏度-800摄氏度。
2.如权利要求1所述的对X射线纳米级聚焦的可调式波导系统,其特征在于:所述过渡金属元素为钼。
3.如权利要求1所述的对X射线纳米级聚焦的可调式波导系统,其特征在于:所述过渡金属元素为镍。
4.如权利要求1所述的对X射线纳米级聚焦的可调式波导系统,其特征在于:所述第一外壳基体和所述第二外壳基体的材料使用与各自固定连接的间隔层材料相同的过渡金属元素材料取代硅或锗,所述过渡金属元素材料为钼或镍。
5.如权利要求2-4任一所述的对X射线纳米级聚焦的可调式波导系统,其特征在于:在第一外壳基体和第二外壳基体进行相对移动进行两个波导结构之间的距离(L)调节时,距离调节的范围在距离调小时能够小于所述多层薄膜波导结构的一级焦点距离并且在距离调大时能够大于所述多层薄膜波导结构的二级焦点距离。
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