[发明专利]基板清洁组合物、基板处理方法、以及基板处理设备

说明书

本发明公开了一种无水基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。所述无水基板清洁组合物包括含氟刻蚀复合物、溶解所述刻蚀复合物的溶剂、以及作为含磷复合物的粘结剂。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月14日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0117829的韩国专利申请的优先权和权益，以及于2018年9月6日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0106336的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

背景技术

本文描述的本发明构思的实施例涉及基板处理组合物、基板处理方法、以及基板处理设备。

通过不同工艺制造半导体设备，所述工艺例如，在诸如硅晶片的基板上形成电路图案的光刻工艺。在制造半导体设备的工艺中，会产生不同的异物(foreign substances)如颗粒、有机污染物、金属杂质。异物会在基板上引起缺陷，作为直接影响半导体器件的性能和成品率的因素。因此，制造半导体设备的工艺基本上伴随清除异物的清洁工艺。

所述清洁工艺通过在基板上清除异物的化学工艺、以纯水清洗化学制品(chemical)的清洗工艺、和干燥所述基板的干燥工艺来执行。一般的干燥过程是以在基板上用有机溶剂代替纯水的方法执行，所述有机溶剂例如具有相当低的表面张力的异丙醇(IPA)。进一步地，即使在干燥工艺中使用有机溶剂，具有线宽为30mm以下的精细电路图案的半导体也可能遭受图案倾斜和塌陷。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种可以有效处理基板的基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。

本发明构思的实施例还提供一种具有改进的清洁效率的基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。

本发明构思的实施例还提供一种可以防止图案塌陷的基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。

本发明构思的实施例还提供一种能够有效清除具有纳米级(不超过100nm)尺寸的粒子的基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。

根据本发明构思的一方面，提供了一种用于处理基板的基板清洁组合物，所述组合物包括共溶剂(co-solvent)和粘结剂，所述粘结剂包括化学式1[O＝P-(O-R)₃,R:CH₃-(CH₂)_n-1，n：自然数]的化合物、亚硫酸二甲酯、亚硫酸二乙酯、或其组合。

所述粘结剂可以为磷酸三甲酯。

所述基板清洁组合物还可以包括含氟刻蚀化合物。

所述刻蚀化合物可以包括氟化氢。

所述共溶剂可以为醇。

所述共溶剂为异丙醇、甲醇、乙醇、或其组合。

所述共溶剂的重量百分数为45-97wt％，以及磷酸三甲酯的重量百分数为3-55wt％。

所述刻蚀化合物的重量百分数为0.1-1wt％，所述共溶剂的重量百分数为45-97wt％，以及所述粘结剂的重量百分数为3-55wt％。

所述刻蚀化合物的重量百分数小于1wt％，所述共溶剂与所述粘结剂的重量比为1:1。

所述基板清洁组合物清除纳米级(不超过100nm)尺寸的粒子。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种基板清洁组合物，所述组合物与待供应的超临界流体混合并包括：所述基板清洁组合物为包括粘结剂的无水组合物，所述粘结剂包括化学式1[O＝P-(O-R)₃,R:CH₃-(CH₂)_n-1，n：自然数]的化合物、亚硫酸二甲酯、亚硫酸二乙酯、或其组合。所述粘结剂可以为磷酸三甲酯。