[发明专利]燃料标靶产生器

说明书

本公开部分实施例提供一种燃料标靶产生器。上述燃料标靶产生器包括一缓冲腔体，配置用于接收一标靶燃料。上述燃料标靶产生器还包括一存储腔体，连结至缓冲腔体并配置用于接收来自缓冲腔体的标靶燃料。上述燃料标靶产生器也包括一阀构件，配置用于控制标靶燃料从缓冲腔体到存储腔体的流动。另外，上述燃料标靶产生器包括一喷嘴，连结至存储腔体并配置用于供应标靶燃料。

技术领域

本发明部分实施例涉及一种燃料标靶产生器，特别涉及一种在光刻曝光系统中产生液滴的燃料标靶产生器。

背景技术

半导体集成电路工业已历经蓬勃发展的阶段。集成电路材料及设计在技术上的进步使得每一代生产的集成电路变得比先前生产的集成电路更小且其电路也变得更复杂。在集成电路发展的进程中，功能性密度(例如：每一个芯片区域中内连接装置的数目)已经普遍增加，而几何尺寸(例如：工艺中所能创造出最小的元件(或线路))则是普遍下降。这种微缩化的过程通常可通过增加生产效率及降低相关支出提供许多利益。

举例来说，对于使用较高分辨率的光刻工艺的需求成长。一种光刻技术是称为极紫外光刻技术(extreme ultraviolet lithography,EUVL)，EUVL使用具有约800nm波长的极紫外(EUV)区域的光的扫描仪。一种EUV光源是激光产生等离子体(laser-producedplasma，LPP)。LPP技术通过将高功率激光聚焦到小型燃料液滴上来产生EUV光，以形成高电离等离子体以发射EUV辐射，最大发射峰值为13.5nm。然后EUV光被收集器收集并由光学元件反射到光刻曝光物体，例如晶圆。

虽然现有的产生极紫外光的方法及装置已经可足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，仍需要一种从输入能量增加能源转换效率予离子化的解决方案。

发明内容

本公开部分实施例提供一种燃料标靶产生器。上述燃料标靶产生器包括一缓冲腔体，配置用于接收一标靶燃料。上述燃料标靶产生器还包括一存储腔体，连结至缓冲腔体并配置用于接收来自缓冲腔体的标靶燃料。上述燃料标靶产生器也包括一阀构件，配置用于控制标靶燃料从缓冲腔体到存储腔体的流动。另外，上述燃料标靶产生器包括一喷嘴，连结至存储腔体并配置用于供应标靶燃料。

本公开另一实施例提供一种光刻曝光系统。上述光刻曝光系统包括一燃料标靶产生器。燃料标靶产生器包括一缓冲腔体、一存储腔体及一喷嘴按序排列以导引标靶燃料的流动。缓冲腔体选择性连结至存储腔体。上述光刻曝光系统还包括一激光产生器配置用于产生用于撞击由燃料标靶产生器所产生的标靶燃料。上述光刻曝光系统也包括一控制器。控制器配置用于控制存储腔体与缓冲腔体具有相同气压。并且控制器配置用于控制从缓冲腔体到存储腔体的标靶燃料的流动。

本公开另一实施例提供一种在光刻曝光系统产生辐射光的方法。上述方法包括在存储腔体中产生一个既定气压，以经由喷嘴供应在存储腔体中的第一批次标靶燃料。上述方法还包括使用激光照射来自喷嘴的标靶燃料以产生辐射光。上述方法也包括增加缓冲腔体中的气压至既定气压，缓冲腔体中存储第二批次标靶燃料。另外，上述方法还包括在缓冲腔体中产生既定气压后，启动标靶燃料从缓冲腔体到存储腔体的流动。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，附图并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明：

图1显示根据部分实施例的光刻系统的示意图。

图2显示根据部分实施例的光源的示意图。

图3显示根据部分实施例中连接到燃料源和控制器的燃料标靶产生器的示意图。

图4显示根据部分实施例在光刻曝光制成中用于产生光的方法的流程图。

图5显示根据部分实施例一标靶燃料产生器的部分构件的剖面图，其中标靶燃料通过一存储腔体产生。