[发明专利]晶片清洗装置及清洗方法

说明书

本发明提供一种不受超声波的衰减或清洗槽内的不均匀液流的影响而能够没有污渍地均匀清洗晶片面内的晶片清洗装置。所述晶片清洗装置具备：清洗槽（11），被清洗液（2）填满；支架（12），在清洗槽（11）内能够摆动地保持晶片（1）；及晶片卡盘（13），保持晶片（1）并使其沿上下方向移动。在进行晶片（1）的旋转动作时，利用晶片卡盘（13）吊起晶片（1），以使成为在支架（12）的摆动角度为‑θ度的位置上晶片（1）从支架（12）浮起的状态。接着，仅转动支架（12）而倾斜至+θ的角度之后，放开晶片卡盘（13）而再次将晶片（1）载置于支架（12），由此使晶片（1）沿圆周方向旋转。

技术领域

本发明涉及一种晶片清洗装置及清洗方法，尤其涉及一种具备防止晶片的清洗不均的机构的晶片清洗装置及清洗方法。

背景技术

用于半导体器件的硅晶片是对从硅锭切片的大致圆盘状的晶片基材实施倒角、研磨、蚀刻等加工而制成的。这些加工工序中，晶片加工时产生研磨粉等粒子，并附着于晶片，因此加工后需要使用晶片清洗装置来清洗晶片。

通常的批量式晶片清洗装置中，将多张晶片在被清洗液填满的清洗槽内浸渍一定时间，并且从清洗槽内的超声波发生器产生超声波而清洗晶片的表面。此时，重要的是没有污渍地均匀清洗晶片的表面。但是，在清洗槽内使晶片静止的状态下，成为超声波阴影的部分的清洗不充分，无法均匀地清洗晶片。因此，提出通过摆动保持清洗槽内的晶片的支架，使超声波阴影的部分变少，从而均匀地清洗晶片表面的方法（参考专利文献1）。

并且，为了解决清洗槽内保持晶片的部分成为超声波阴影，从而无法均匀地超声波清洗晶片的问题，还提出有如下方法：通过在晶片清洗中以规定的顺序使第1提升部件及第2提升部件升降，从而使晶片沿圆周方向旋转（参考专利文献2）。并且，还提出有如下方法：在底部设置有超声波发生器的清洗槽内清洗晶片，并且具备能够上下移动的晶片卡盘及升降机式晶片引导件，通过在晶片清洗中利用晶片卡盘和晶片引导件来交替地换手持住晶片，从而将成为超声波阴影的部分抑制为最小限度（参考专利文献3）。

专利文献1：日本专利公开平7-328572号公报

专利文献2：日本专利公开平11-87299号公报

专利文献3：日本专利公开2006-324495号公报。

然而，专利文献2中所记载的以往清洗方法中，由于引导第1提升部件及第2提升部件的倾斜的倾斜狭缝存在于清洗槽内，因此担忧从滑动部分产生灰尘。并且，提拉晶片时为了不使晶片露出液面，需要增高清洗槽的高度，需要增大清洗槽的容量。

并且，关于专利文献3中所记载的以往清洗方法，虽然能够减少成为超声波阴影的部分，但是对由因自超声波振荡源的距离导致的超声波衰减或在清洗槽内的不均匀的液流引起的晶片面内的清洗不均没有效果。近年来，晶片尺寸的主流逐渐大口径化，若成为大口径的晶片尺寸，则从清洗槽的底部朝向上方产生超声波时，晶片上端部中的超声波强度的衰减显著，因此强烈要求其对策。

发明内容

本发明是解决上述问题的发明，本发明的目的在于提供一种不受超声波的衰减或清洗槽内的不均匀液流的影响而能够没有污渍地均匀清洗晶片面内的晶片清洗装置及清洗方法。

为了解决上述问题，基于本发明的晶片清洗装置的特征在于，具备：第1清洗槽；第1支架，在所述第1清洗槽内能够摆动地保持晶片；第1摆动机构，摆动所述第1支架；第1超声波发生器，向所述第1清洗槽内供给超声波；及晶片保持机构，保持所述第1清洗槽内的所述晶片并使其升降，当所述第1支架的摆动角度为第1角度时，所述晶片保持机构吊起所述第1支架上的所述晶片，当为与所述第1角度不同的第2角度时，所述晶片保持机构将所述晶片再次载置于所述第1支架上，由此使所述第1支架上的所述晶片沿圆周方向旋转。