[发明专利]芯片用光刻胶及光刻工艺

说明书

本发明提供一种芯片用光刻胶，包括试剂A和试剂B，其中试剂A组成为紫外负性光刻胶，以试剂A液体紫外负性光刻胶中的固体总重量为基准，各组分及其重量百分比为环化橡胶75～85％，交联剂15～25％，溶剂为二甲苯；试剂B为六甲基二硅烷胺或三氯苯酯硅烷或两者组合。本发明的优点和有益效果是：采用试剂A与试剂B配合使用，利用试剂B的六甲基二硅烷胺或三氯苯酯硅烷或两者组合来是硅片表面的亲水性变为疏水性，同时其本身的疏水基能够很好地与试剂A接合，使试剂A更好地粘附于硅片；利用上述试剂A与试剂B配合采用一定的工艺手段将之施加至硅片表面，能够有效提高产品的分辨率。

技术领域

本发明涉及电子电气用化学材料，尤其是涉及负性光刻胶，同时涉及光刻工艺。

背景技术

微电子领域光刻胶的作用影响巨大，是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。但集成电路制备过程中，绝大多数光刻胶是疏水的，而二氧化硅表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的粘合力差，就容易造成光刻过程中精度难以保证，导致分辨率降低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种与硅片基材表面结合力提高的光刻胶。

本发明的技术方案是提供一种芯片用光刻胶，包括试剂A和试剂B，其中试剂A组成为紫外负性光刻胶，以试剂A液体紫外负性光刻胶中的固体总重量为基准，各组分及其重量百分比为环化橡胶75～85％，交联剂15～25％，溶剂为二甲苯；试剂B为六甲基二硅烷胺或三氯苯酯硅烷或两者组合。

其中试剂A使用粘度为15～20厘泊，试剂B使用粘度为20～30厘泊。

本发明的另一目的是提供一种光刻工艺，该工艺使用上述光刻胶完成。具体包括如下步骤：

(1)涂胶：首先在硅片表面涂覆试剂B，静置1～2min，然后利用旋涂法在试剂B上继续进行试剂A的涂覆；

(2)曝光前烘烤：将步骤(1)所得的硅片进行曝光前烘烤，烘烤温度为90～120℃，时间为1～1.5min；

(3)曝光：将步骤(2)所得硅片进行曝光，使光刻图案形成于晶片表面；

(4)显影：将已曝光的硅片浸入显影液中，微微摇动15～30s；

(5)坚膜：将显影后的硅片放入烘箱于100～200℃烘烤10～30min；

(6)腐蚀、去胶：采用腐蚀剂对未被胶膜覆盖的硅片表面进行腐蚀；然后去胶。

在步骤(1)涂胶前，硅片还需要进行预烘烤，预烘烤温度为70～90℃，预烘烤时间为3～7min，经过预烘烤后硅片表面的水分基本去除，能够提高光刻胶粘合力。

步骤(1)中试剂B的涂覆厚度为30～100nm。

步骤(1)中试剂A的涂覆厚度为500～800nm，厚度均匀性为

步骤(4)和步骤(5)之间还包括曝光后烘烤：将曝光后的硅片再次进行烘烤，烘烤温度为110～120℃，时间为1～2min。

本发明的优点和有益效果：采用试剂A与试剂B配合使用，利用试剂B的六甲基二硅烷胺或三氯苯酯硅烷或两者组合来是硅片表面的亲水性变为疏水性，同时其本身的疏水基能够很好地与试剂A接合，使试剂A更好地粘附于硅片；利用上述试剂A与试剂B配合采用一定的工艺手段将之施加至硅片表面，能够有效提高产品的分辨率。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明作进一步说明。

实施例1