[发明专利]一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811072366.4 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN109111229B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 李恩竹;杨鸿程;杨鸿宇;张树人 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/495
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 闫树平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 高温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法
【说明书】:

发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。化学通式为NdNb1‑x(AB)xO4,A=Mg2+、Al3+、Si4+、Zr4+,B=W6+、Mo6+,x=0~0.07,其中AB的具体组合为Mg1/4W3/4,Al1/3W2/3,Zr1/2W1/2,Mg1/4Mo3/4,Al1/3Mo2/3,Zr1/2Mo1/2,通过固相烧结法制得。本发明采用复合掺杂,按比例将异价A、B(A=Mg2+,Al3+,Si4+,Zr4+;B=W6+,Mo6+)原子等价取代NdNbO4中的Nb离子,最终制备得到有限固溶体,调节其品质因数和频率温度系数,制备方法为固相烧结法,工艺简单。本发明改善了NdNbO4陶瓷的品质因数和温度稳定性,介电常数小于20,34000GHz≤Q×f≤60000GHz,‑42ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃。

技术领域

本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

继BaO-TiO2二元陶瓷系统的微波介电性能首次报道,研究者们极力探索适用于各通信频段的微波介质陶瓷材料。作为移动通信系统中的重要部件,微波介质陶瓷按其介电常数分类可分为:高介电常数微波介质陶瓷(εr≥70),中等介电常数微波介质陶瓷(30≤εr70)和低介电常数微波介质陶瓷(εr30)。

现有报道的微波介电陶瓷通常通过离子取代改性和形成复相陶瓷的方法来获得令人满意的性能。在考虑掺杂位置和取代离子的离子半径、极化率和电负性差异后,选取合适的离子对陶瓷基料取代改性可以调节其介电常数、提高品质因数和得到近零的谐振频率温度系数。而复相陶瓷主要是采用两类具有相反谐振频率温度系数的陶瓷,根据混合对数规则,以期获得高温度稳定的微波介质陶瓷。

在众多微波介质陶瓷中,稀土铌酸盐陶瓷是近年来兴起的一类ABO4体系中的一类典型代表。其中,NdNbO4陶瓷的微波介电性能于2006年首次报道(εr=19.6、Q×f=33000GHz、τf=-24ppm/℃),但其较低的品质因数和较大的谐振频率温度系数限制了该陶瓷的应用范围。而NdNb1-x(AB)xO4(A=Mg2+,Al3+,Si4+,Zr4+;B=W6+,Mo6+;x=0~0.07mol)陶瓷在1225℃~1300℃烧结下,能够使得品质因数有较大的提升且能保证较低的谐振频率温度系数,例如在1250℃烧结,εr=19.2、Q×f=55282GHz、τf=-11.36ppm/℃(A=Zr4+,B=W6+,x=0.04)。

发明内容

针对上述存在问题或不足,为改善NdNbO4陶瓷的品质因数,提高其温度稳定性,本发明提供了一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法,实现了NdNbO4的优良改性。

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