[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包括：

提供包括第一表面的第一衬底，所述第一衬底包含第一绝缘区域和紧邻所述第一绝缘区域的至少一个第一金属区域；

在所述第一绝缘区域和所述第一金属区域上形成第一金属膜，其中所述第一金属膜包括不同于所述第一金属区域的金属的金属；

提供包括第二表面的第二衬底，所述第二衬底包含第二绝缘区域和紧邻所述第二绝缘区域的至少一个第二金属区域；

在所述第二绝缘区域和所述第二金属区域上形成第二金属膜，其中所述第二金属膜包括不同于所述第二金属区域的金属的金属；

使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触，使得所述第一衬底的所述第一表面面向所述第二衬底的所述第二表面；以及

热处理所述第一衬底和所述第二衬底，且由此将所述第一金属区域与所述第二金属区域相互电连接且同时在所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间形成绝缘界面膜。

2.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属区域的一部分面向所述第二绝缘区域。

3.根据权利要求2所述的制造所述半导体装置的方法，其中第一阻挡层插入于所述第一金属区域与所述第一绝缘区域之间，且所述第一阻挡层的一部分延伸到在所述第一金属区域的相对侧上的所述第一衬底的所述第一表面；以及

所述绝缘界面膜跨所述第一阻挡层的邻近所述第一金属区域的面向所述第二绝缘区域的所述部分的所述部分延伸。

4.根据权利要求3所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一阻挡层的延伸到所述第一衬底的所述第一表面、邻近所述第一金属区域的不面向所述第二绝缘区域的部分的所述部分不由所述绝缘膜覆盖。

5.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，进一步包括在使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触前将第一金属膜和所述第二金属膜中的至少一个暴露于等离子体。

6.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，进一步包括在使所述第一金属膜与所述第二金属膜相互接触前清洁第一金属膜和所述第二金属膜中的至少一个或对第一金属膜和所述第二金属膜中的至少一个执行等离子体处理。

7.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属膜由比所述第一金属区域的所述金属易于氧化的金属形成；且

所述第二金属膜由比所述第二金属区域的所述金属易于氧化的金属形成。

8.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述绝缘界面膜包括由所述第一和第二金属膜以及所述第一和第二绝缘区域的材料形成的化合物。

9.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述电连接第一金属区域与所述第二金属区域包含在其中的所述第一和第二金属膜的材料。

10.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属膜和第二金属膜中的至少一个包括金属氧化物。

11.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中所述第一金属膜含有选自由Mn、Al、V、Zn、Nb、Zr、Cr、Y、Tc和Re组成的群组的至少一种金属。

12.根据权利要求1所述的制造所述半导体装置的方法，其中

所述绝缘界面膜包括选自由α_xO_y、α_xSi_yO_z、α_xC_yO_z和α_xF_yO_z组成的群组的至少一种化合物，其中所述第一金属膜的金属材料由α表示。