[发明专利]溅射装置

权利要求书

1.一种溅射装置，所述溅射装置具备：

真空腔室，所述真空腔室被供给非活性气体，被处理基板和靶相向地配置在内部；

电压施加机构，所述电压施加机构向所述被处理基板与所述靶之间施加电压而使其放电；

磁铁，所述磁铁在所述靶的表面形成磁场；及

移动机构，所述移动机构使所述靶及所述被处理基板的至少一方移动，以使所述被处理基板相对于所述靶沿着传送方向相对移动，

所述被处理基板在从所述靶飞散的溅射粒子的飞散区域中通过，由此在所述被处理基板上进行成膜，

所述溅射装置的特征在于，

所述磁铁具备沿着所述被处理基板的成膜面且沿着与所述传送方向正交的方向延伸的中心磁铁和包围该中心磁铁的周边磁铁，

在所述靶与所述被处理基板之间设有遮蔽构件，该遮蔽构件将所述被处理基板遮蔽，以免所述被处理基板遭受从所述靶向所述被处理基板的传送方向上游侧飞散的溅射粒子，

当将穿过所述中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与所述靶表面正交的方向延伸的直线设为中央基准线，并将穿过所述周边磁铁的所述传送方向上游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第一边界线，将穿过所述周边磁铁的所述传送方向下游端并与所述中央基准线平行地引出的直线设为第二边界线时，

所述遮蔽构件的所述飞散区域侧的端部位于由所述第一边界线与第二边界线夹持的区域，

所述遮蔽构件具备第一防附着板和第二防附着板，所述第一防附着板隔着所述靶配置在与所述磁铁相向的位置，所述第二防附着板配置在与被遮蔽的状态下的所述被处理基板相向的位置，

对所述第一防附着板赋予正的电位，对所述第二防附着板赋予负的电位。

2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

所述靶是被驱动而旋转的圆筒状构件。

3.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

所述靶为平板状构件，在所述靶的表面形成有沿着与所述被处理基板的传送方向正交的方向延长为所述被处理基板的边长以上的连续的腐蚀区域，

所述遮蔽构件的所述飞散区域侧的端部位于穿过所述腐蚀区域的所述传送方向上游端且与所述靶表面正交的直线上。

4.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

所述靶为平板状构件，在所述靶的表面形成有沿着与所述被处理基板的传送方向正交的方向延长为所述被处理基板的边长以上的连续的腐蚀区域，

所述遮蔽构件的所述飞散区域侧的端部位于将所述腐蚀区域的所述传送方向上游端与下游端之间的区域向与所述靶表面正交的方向投影的投影区域上。

5.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

穿过所述中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与所述靶表面正交的方向延伸的中央基准线与所述被处理基板的传送面正交。

6.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

穿过所述中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与所述靶表面正交的方向延伸的中央基准线相对于与所述被处理基板的传送面正交的方向而向所述传送方向上游侧倾斜。

7.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

穿过所述中心磁铁的磁极上的所述传送方向中央并沿着与所述靶表面正交的方向延伸的中央基准线相对于与所述被处理基板的传送面正交的方向而向传送方向下游侧倾斜。

8.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

所述被处理基板配置在所述靶的上方。

9.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，

所述被处理基板配置在所述靶的下方。