[发明专利]存储装置及存储装置的操作方法有效
申请号: | 201811068475.9 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN110069212B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 朴振;丁仁 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 操作方法 | ||
本发明涉及一种存储装置,该存储装置包括:存储器装置,包括多个平面;以及存储器控制器,当存储器装置处于忙碌状态时,将针对存储器装置的读取请求中针对不同平面的读取请求存储为在存储器装置的忙碌状态终止之后将由存储器装置处理的读取请求。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年1月22日提交的、申请号为10-2018-0007754的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置,并且更特别地,涉及一种存储装置及存储装置的操作方法。
背景技术
通常,存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置的示例包括诸如将数据存储在磁盘中的硬盘驱动器(HDD)的装置,以及诸如将数据存储在半导体存储器,特别是非易失性存储器中的固态硬盘(SSD)或存储卡的装置。
非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
发明内容
本公开的各个实施例涉及一种被配置为执行多平面读取操作的存储装置以及该存储装置的操作方法。
本公开的实施例提供一种存储装置,包括:存储器装置,包括多个平面;以及存储器控制器,被配置为当存储器装置处于忙碌状态时,将针对存储器装置的读取请求中针对不同平面的读取请求存储为在存储器装置的忙碌状态终止之后将由存储器装置处理的读取请求。
本公开的实施例提供一种存储器控制器,该存储器控制器被配置为控制包括多个平面的存储器装置,该存储器控制器包括:主机控制器,被配置为从外部主机接收针对存储器装置的读取请求;闪存转换层,被配置为当存储器装置处于忙碌状态时,将针对存储器装置的读取请求中针对不同平面的读取请求存储为在存储器装置的忙碌状态终止之后将由存储器装置处理的读取请求;以及闪存控制器,被配置为向存储器装置提供对应于从闪存转换层提供的读取请求的地址和读取命令。
本公开的实施例提供一种操作存储器控制器的方法,该存储器控制器被配置为控制包括多个平面的存储器装置,该方法包括:从主机接收针对存储器装置的读取请求;确定存储器装置是否处于忙碌状态;并且根据确定的结果对存储器装置执行多平面读取操作。
附图说明
图1是例示出根据本公开的实施例的存储装置的示图。
图2是例示出根据本公开的实施例的各自包括不同数量的平面的存储器装置的示图。
图3是例示出根据本公开的实施例的图1的存储器控制器的功能划分部件的示图。
图4是例示出根据本公开的实施例的图3的多平面读取控制器的示图。
图5是例示出根据本公开的实施例的多平面读取操作的示图。
图6是例示出根据本公开的实施例的存储器控制器的操作的流程图。
图7是例示出根据本公开的实施例的图1的存储器装置的配置的示图。
图8是例示出根据本公开的实施例的图7的存储器单元阵列的示图。
图9是例示出根据本公开的实施例的图8的存储器单元阵列的存储块的配置的示意性电路图。
图10是例示出根据本公开的实施例的图8的存储器单元阵列的存储块的配置的示意性电路图。
图11是例示出根据本公开的实施例的图8的存储器单元阵列的存储块的配置的示意性电路图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811068475.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。