[发明专利]一种使用钌阻挡层的金属互连线路的化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201811068429.9 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109300783A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 程洁;王同庆;谢李乐;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 阻挡层 片晶 抛光处理 抛光液 化学机械抛光 晶圆 选择性去除 表面缺陷 互连结构 金属互连 中金属层 后表面 介质层 金属层 平坦化 全局 | ||
1.一种图形片晶圆的抛光方法，其特征在于，
所述图形片晶圆包括：衬底、介质层、钌阻挡层和金属层，所述介质层、所述钌阻挡层和所述金属层设在所述衬底上，所述钌阻挡层设在所述介质层和所述金属层之间；
所述抛光方法包括：
(1)利用第一抛光液对所述金属层依次进行第一抛光处理和第二抛光处理；
(2)利用第二抛光液对所述钌阻挡层进行第三抛光处理，得到抛光后图形片晶圆。
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述图形片晶圆呈方形；
任选地，所述图形片晶圆为边长为1.0～2.0inch的正方形图形片晶圆。
3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述钌阻挡层包括Ru/Ta/TaN复合结构；
任选地，所述金属层中含有Cu。
4.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光液包括：0.2～2.0重量份的H2O2、1～6重量份的SiO2磨粒。
5.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述第二抛光液包括：0.2～1.0重量份的H2O2、不少于0.5重量份的三氮唑基缓蚀剂和1～3重量份的SiO2磨粒。
6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光处理的抛光压力为0.8～2.0psi，所述第二抛光处理的抛光压力为0.6～1.8psi。
7.根据权利要求6所述的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光处理和所述第二抛光处理中，所述第一抛光液的流量为100～180mL/min，抛光转速为80～120r/min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三抛光处理的抛光压力为0.6～1.2psi。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三抛光处理中，所述第二抛光液的流量为100～150mL/min，抛光转速为70～100r/min。
10.一种适于对图形片晶圆中钌阻挡层进行抛光的抛光液，其特征在于，包括：0.2～1.0重量份的H2O2、不少于0.5重量份的三氮唑基缓蚀剂和1～3重量份的SiO2磨粒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
