[发明专利]一种太阳电池铜栅线图形形成的大规模制造方法在审
申请号: | 201811066647.9 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN109192819A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 罗骞;倪鹏玉 | 申请(专利权)人: | 福建钧石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池片 感光膜 曝光机 单片 大规模制造 正反两面 线图形 去膜 铜栅 覆盖 太阳能电池片 玻璃台面 方式放置 规模生产 曝光方式 曝光工序 显影工艺 栅线图形 自动上料 自动下料 曝光 电池片 电镀机 显影机 易碎性 电镀 多片 良率 量产 送出 显影 | ||
本发明公开了一种太阳电池铜栅线图形形成的大规模制造方法,所述方法包括如下步骤:太阳电池片以单片连续流片方式在正反两面覆盖感光膜;覆盖感光膜后的太阳电池片以自动上料方式放置于曝光机的玻璃台面;至少两片太阳电池片在曝光机内同时曝光正反两面;曝光后的太阳电池片以自动下料方式从曝光机送出后以单片连续流片方式流至显影机、电镀机、去膜机完成显影、电镀、去膜。本发明覆盖感光膜工序和曝光工序分别采用单片连续流片方式和多片同时曝光方式,可以解决太阳电池片的易碎性带来的规模生产中的低产能及低良率的问题,实现大规模地、快速地将栅线图形准确的转移到电池片的感光膜上,再通过显影工艺,从而完成太阳能电池片量产流程。
技术领域
本发明涉及太阳电池制造技术领域,尤其涉及一种太阳电池铜栅线图形形成的大规模制造方法。
背景技术
太阳电池行业的最重要技术目标之一是降低太阳电池的大规模生产成本。目前常规太阳电池成本结构中占比重第二位的是金属银栅的成本(第一位为硅片)。在太阳电池的大规模生产中,银栅线以丝网印刷的方式在电池表面印刷银浆后烧结形成。由于银的价格较高且随市场变化很大,难以进一步降低银栅线电池的银浆成本,限制了太阳电池成本的进一步降低;另一方面,新兴的高效电池技术越来越多的采用双面电池结构或者背接触电池结构,导致栅线导电性要求及银浆用量的增加。针对这一问题,太阳电池产业内及相关研究机构对采用廉价的铜栅线取代昂贵的银栅线做过许多探索,对金属叠层的设计及对电池的影响有较为透彻的研究。但由于太阳电池片的易碎性和高速生产的需求,在规模化生产中实现铜栅线太阳电池非常困难。迄今为止,只有美国的Sunpower公司已知成功地大规模量产单面铜栅线背接触电池,但还没有任何文献报道或者专利讨论如何实现在太阳电池片上规模量产铜栅线的方式。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种太阳电池铜栅线图形形成的大规模制造方法,可以有效、快速的批量实现在电池片表面形成栅线图形。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:一种太阳电池铜栅线图形形成的大规模制造方法,所述方法包括如下步骤:
太阳电池片以单片连续流片方式在正反两面覆盖感光膜;
覆盖感光膜后的太阳电池片以自动上料方式放置于曝光机的玻璃台面;
至少两片太阳电池片在曝光机内同时曝光正反两面;
曝光后的太阳电池片以自动下料方式从曝光机送出后以单片连续流片方式流至显影机、电镀机、去膜机完成显影、电镀、去膜。
进一步的,所述感光膜为干膜或湿膜中的一种。
进一步的,所述在太阳电池片的正反两面覆盖感光膜采用滚筒贴膜、浸涂、喷涂、辊涂方式中的至少一种。
进一步的,所述覆盖感光膜后的太阳电池片侧面分为被感光膜包覆和不被感光膜包覆,所述太阳电池片侧面不被感光膜包覆,则感光膜的覆盖范围等同于太阳电池片的面积或者小于太阳电池片的面积,若感光膜的覆盖范围小于太阳电池片的面积,则感光膜的边缘距离太阳电池片的边缘不超过1.5mm,优选距离为0.2-1.0mm。
进一步的,所述曝光机采用接触式曝光机或者非接触式曝光机。
进一步的,所述曝光机同时曝光2-24片太阳电池片的正反两面,优选为同时曝光8-12片太阳电池片。
进一步的,所述太阳电池片在曝光机内同时曝光正反两面时的位置通过限位框、真空吸附或者限位框加真空吸附的方式固定在曝光台面上。
进一步的,所述限位框的尺寸比电池片的尺寸宽0.3-1mm,最优为0.5mm,高度与电池片的厚度保持一致,误差范围在100-160um内,所述限位框材料采用对紫外光反射率低的金属或者塑料,如有氧化涂层的铝、喷涂黑色涂料的不锈钢、喷涂低反射镍层的不锈钢、聚四氟乙烯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建钧石能源有限公司,未经福建钧石能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811066647.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的