[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包含：

半导体叠层，具有表面，且该表面具有第一边、相对于该第一边之第二边及侧边连接该第一边及该第二边；及

电极结构，包含电极垫，形成于该表面上，该电极结构另包含连接于该电极垫的第一延伸电极、第二延伸电极及第三延伸电极，该第一延伸电极较该第三延伸电极靠近该表面的该侧边，该第二延伸电极位于该第一延伸电极及该第三延伸电极之间；

其中，由俯视观之，该第一延伸电极、该第二延伸电极及该第三延伸电极各具有第一部分及第二部分；

其中，各该第二部分以第一延伸方向朝该第二边延伸，该第一延伸电极、该第二延伸电极及该第三延伸电极的各该第一部分各别以第二延伸方向、第三延伸方向以及第四延伸方向自该电极垫延伸；

其中，该第一延伸电极的该第一部分与该第一延伸电极的该第二部分连接并且形成具有第一角度θ1的第一转角，该第二延伸电极的该第一部分与该第二延伸电极的该第二部分连接并且形成具有第二角度θ2的第二转角，该第三延伸电极的该第一部分与该第三延伸电极的该第二部分连接并且形成具有第三角度θ3的第三转角；以及

其中，该第一延伸电极的该第二部分具有远离该电极垫的第一端，该第二边较该第一边远离该电极垫，该第一边与该第一延伸电极的该第一部分具有最短距离大于该第二边至该第一端的最短距离。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第二角度θ2与该第三角度θ3均为钝角。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一延伸方向大致平行于该侧边。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一延伸电极的该第一部分具有第一宽度，该第二延伸电极的该第一部分具有第二宽度，该第三延伸电极的该第一部分具有第三宽度，且该第一宽度大于该第二宽度，该第二宽度大于该第三宽度。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一延伸电极的该第一部分具有第一宽度，该第一端具有第四宽度，且该第一宽度对该第四宽度的比值介于1.5至8之间。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第三角度θ3介于110度至145度之间。

7.一种半导体元件，包含：

半导体叠层，具有表面，且该表面具有中心、第一边及侧边，该侧边连接该第一边并形成角落，该角落与该中心间具有虚拟连线；以及

电极结构，包含电极垫，形成于该表面上，该电极结构另包含连接于该电极垫的第一延伸电极、第二延伸电极以及第三延伸电极，该第一延伸电极较该第二延伸电极及第三延伸电极靠近该侧边，且该第一延伸电极以及该第二延伸电极皆具有第一部分及第二部分；其中，

该第一延伸电极的该第一部分平行于该第一边，且该第一延伸电极的该第一部分与该第一延伸电极的该第二部分连接并具有第一角度θ1的第一转角；

该第二延伸电极的该第一部分与该第二延伸电极的该第二部分连接并具有第二角度θ2的第二转角，且θ2θ1；

该第一转角与该虚拟连线间具有第一距离，该第二转角与该虚拟连线间具有第二距离，该第二距离大于该第一距离。

8.一种半导体元件，包含：

半导体叠层，具有表面，且该表面具有中心、第一边、相对于该第一边的第二边，侧边连接该第一边及该第二边，该侧边与该第一边间具有角落；及

电极结构，形成于该表面上，包含电极垫、第一延伸电极、第二延伸电极及第三延伸电极，该第一延伸电极较该第三延伸电极靠近该表面的该侧边，该第二延伸电极位于该第一延伸电极及该第三延伸电极之间，且第一延伸电极及第二延伸电极各具有第一部分及第二部分；其中，该第一延伸电极的该第一部分与该第一延伸电极的该第二部分连接并具有第一角度θ1的第一转角；

该第二延伸电极的该第一部分与该第二延伸电极的该第二部分连接并具有第二角度θ2的第二转角，且θ2θ1；以及

由俯视观之，该第一延伸电极具有远离该电极垫的第一端，该中心与该角落之间具有第一虚拟连线，且该中心与该第一端之间具有第二虚拟连线，该第一虚拟连线与该第二虚拟连线的夹角小于120度。