[发明专利]一种涂布机构以及在硅片上涂布HMDS的方法有效

专利信息
申请号: 201811064491.0 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN109283794B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 吴林;张辰明 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 机构 以及 硅片 上涂布 hmds 方法
【说明书】:

发明提供了一种涂布机构和在硅片上涂布HMDS的方法,所述涂布机构包括涂布通道机构,所述涂布通道机构包括中央通道和周边通道,所述中央通道用于对硅片的中心区域进行涂布,所述周边通道用于对硅片的周边区域进行涂布,而且对硅片中心区域和周边区域的涂布是分步进行的,如此便可避免HMDS气体重复在硅片中心区域进行涂布,而周边区域涂布不到位的问题,也从一定程度上减少了HMDS从中心区域扩散到周边区域的时间,从而减少了制程的总时间。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域,特别涉及一种涂布机构以及在硅片上涂布HMDS的方法。

背景技术

在光刻制程中,光阻在硅片上附着情况直接决定了关键图形的形成,光阻附着差会导致剥胶等严重的缺陷,经研究发现良好的附着力要求硅片接触角大于65度才能使光阻在硅片上附着符合制程要求,目前光阻涂布机采用气相六甲基二硅胺(HMDS)来提高硅片接触角从而提高光阻与硅片的附着力,如图1所示。

影响HMDS涂布性能的基本因素主要有硬件设计、HMDS批次、制程温度、制程时间和衬底等,除此之外,较为关键的是如何在硅片上形成均匀的HMDS分子层和硅片结合以确保硅片表面接触角满足制程需求。

目前光刻胶涂布机台都有涂布HMDS的机构,如图2所示,该机构功能是将HMDS气化,然后将HMDS气体喷出与硅片结合来提高光阻与硅片的附着力,通常该机构将HMDS气体通过硅片上方中央单孔排出并涂布在硅片上,但在具体制程中,需要耗费较长制程时间来确保硅片周边HMDS涂布满足要求;如果制程时间不足会导致关键图形在烘烤后中央向边缘的附着力不同,会在后续制程中发生图形剥落形成缺陷,HMDS形成的均匀性对关键图形附着至关重要,关键图形附着的差异直接关系图形的形成从而直接影响到器件的成品率。

同时,随着器件不断缩小,对于HMDS气体的洁净的要求也不断提高,故有必要研究一种高效的设计方案来提高HMDS在硅片上的附着力以及确保涂布在硅片上的HMDS洁净。

发明内容

本发明的目的在于提供一种涂布机构以及在硅片上涂布HMDS的方法,以减少在硅片上执行HMDS涂布工艺的制程时间。

为解决上述技术问题,本发明提供一种涂布机构,用于对硅片执行涂布工艺,所述涂布机构包括:

涂布腔;

承盘,所述承盘位于所述涂布腔内,用于放置硅片;

送气管道,所述送气管道出口与所述涂布腔连通,用于输送气体以对所述硅片进行涂布;

排气管道,所述排气管道入口与所述涂布腔连通,用于排出对所述硅片进行涂布后多余的气体;

涂布通道机构,所述涂布通道机构位于所述涂布腔内且位于所述送气管道出口的下方以及所述排气管道入口的上方,与所述涂布腔的底面保持平行,所述涂布通道机构包括中央通道和周边通道,用于对所述硅片进行涂布的位置进行限定。

可选地,在所述的涂布机构中,所述中央通道呈圆柱型。

可选地,在所述的涂布机构中,所述中央通道的横截面半径为0.5cm~10cm。

可选地,在所述的涂布机构中,所述周边通道以一定距离围绕所述中央通道且向背离所述涂布腔中心的方向倾斜。

可选地,在所述的涂布机构中,所述周边通道与所述涂布腔底面所成的锐角角度范围为30°~80°。

可选地,在所述的涂布机构中,所述周边通道的横截面呈圆环状,圆环宽度为0.5cm~5cm。

可选地,在所述的涂布机构中,所述涂布腔呈圆柱型或立方型;所述送气管道通过所述涂布腔的顶壁中心与所述涂布腔连通;所述排气管道通过所述涂布腔的侧壁与所述涂布腔连通且所述排气管道入口位于所述承盘的下方。

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