[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 201811064281.1 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN109360899B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 李阳 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,具有显示区和围绕所述显示区的非显示区,其特征在于,包括:
衬底;
设置在所述衬底上的第一无机层;所述第一无机层包括至少一个镂空部,所述镂空部位于所述非显示区,所述镂空部为环形且围绕所述显示区设置;
填充在所述镂空部中的阻挡材料层;所述阻挡材料层的材料包括以下材料中的至少一种:非晶材料、多晶材料、有机物与纳米线的混合物;
设置在所述第一无机层背离所述衬底一侧的发光器件层;
设置在所述发光器件层背离所述衬底一侧的封装层;
所述显示面板还包括驱动器件层,所述第一无机层位于所述衬底和所述驱动器件层之间;所述驱动器件层包括半导体层、栅极绝缘层、栅极层、辅助绝缘层、辅助金属层、层间绝缘层、源漏极层;在垂直于所述显示面板的方向上,所述第一无机层、所述栅极绝缘层、所述辅助绝缘层和所述层间绝缘层四者的厚度之和为D1,所述阻挡材料层的厚度为D2,其中,D2≥D1。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述非晶材料包括以下材料中的至少一种:非氧化物玻璃、高分子聚合物、非晶态金属材料、硫系非晶态半导体。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述非晶态金属材料包括:Cu-Ti33-70、Cu-Zr27.5-75、Ni-Zr33-42或者Nb-Ni40-60。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述硫系非晶态半导体包括:Se、Te、As2Se3、As81Se21Ge80Te18或者As30Te43Si12Ge10。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述多晶材料包括低温多晶硅。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述有机物与纳米线的混合物中,所述有机物的材料包括以下材料中的至少一种:聚酰亚胺树脂、酚醛树脂。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述有机物与纳米线的混合物中,所述纳米线的材料包括以下材料中的至少一种:金属纳米线、半导体纳米线、绝缘体纳米线。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述金属纳米线的材料包括:Ni、Pt或者Au。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述半导体纳米线的材料包括:InP、Si或者GaN。
10.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,
所述绝缘体纳米线的材料包括:SiO2或者TiO2。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板包括位于所述非显示区的第一挡墙和第二挡墙,所述第一挡墙为环形且围绕所述显示区设置,所述第二挡墙为环形且围绕所述第一挡墙设置。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,
所述第二挡墙向所述衬底的正投影为第二投影,所述镂空部向所述衬底的正投影为镂空投影,所述镂空投影位于所述第二投影远离所述显示区的一侧。
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