[发明专利]一种超级结MOSFET结构及其制造方法

权利要求书

1.一种超级结MOSFET结构，其特征在于，包括：A型衬底、形成于所述A型衬底上的A型外延层以及形成于所述A型外延层中的B柱，所述A型外延层包括第一A型外延层以及至少一层第二A型外延层，所述B柱包括深槽蚀刻段以及至少一段外延层段，所述第二A型外延层的层数与所述外延层段的段数相对应，所述B柱的深槽蚀刻段采用深槽蚀刻工艺和B型外延工艺形成，所述B柱外延层段采用B型离子注入工艺形成，所述深槽蚀刻段与外延层段采用高温退火工艺连接起来。

2.根据权利要求1所述的超级结MOSFET结构，其特征在于，所述A型衬底为N型衬底，所述A型外延层为N型外延层，所述B柱为P柱；或者，所述A型衬底为P型衬底，所述A型外延层为P型外延层，所述B柱为N柱。

3.一种超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、形成一A型衬底，在所述A型衬底上形成第一A型外延层，对应所述第一A型外延层进行深槽蚀刻工艺和B型外延工艺在所述第一A型外延层中形成第一B层；

步骤2、形成一第二A型外延层，在所述第二A型外延层上进行B型离子注入，以在所述第二A型外延层中形成第二B层，根据需要重复本步骤n次，n为大于或等于0的整数，所形成的第二A型外延层依形成顺序为第二A型外延层a，第二型外延层b，……，所形成的第二B层依形成顺序依次为第二B层a，第二B层b，……；

步骤3、采用高温退火工艺，将所述第一B层与所述第二B层连接起来，形成B柱。

4.根据权利要求3所述的超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，所述n的数值为0时，所述B型离子注入的能量大于等于1MeV。

5.根据权利要求3所述的超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，所述n的数值为大于或等于1时，所述第二A型外延层a的厚度小于所述第二A型外延层b厚度；或者，

所述n的数值为大于或等于1时，所述第二A型外延层a的掺杂浓度小于所述第二A型外延层b的掺杂浓度；或者，所述第二A型外延层a的厚度小于所述第二A型外延层b厚度，所述第二A型外延层a的掺杂浓度小于所述第二A型外延层b的掺杂浓度。

6.根据权利要求3所述的超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，所述n的数值为大于或等于1时，所述第二B层a注入的B型离子的最高能量高于其它后形成的任意一层第二B层注入的B型离子的最高能量；或者，所述n的数值为大于或者等于1时，所述第二B层a注入的B型离子的总剂量高于其它后形成的任意一层第二B层注入的B型离子的总剂量。

7.根据权利要求3所述的超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，所述第一B层中注入有所述B型离子。

8.根据权利要求3所述的超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1中，完成深槽蚀刻工艺，以及B型外延工艺后，采用化学机械抛光工艺来使得表面平整化；所述步骤2中，采用光刻工艺来完成B型离子注入。

9.根据权利要求3到8任一项所述的超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，所述A型衬底为N型衬底，所述A型外延层为N型外延层，所述B柱为P柱；或者，所述A型衬底为P型衬底，所述A型外延层为P型外延层，所述B柱为N柱。

10.根据权利要求9任一项所述的超级结MOSFET结构的制造方法，其特征在于，所述超级结MOSEFT为硅器件或者碳化硅器件。