[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

提供至少两种衬底，所述衬底上设有掺杂氧元素的氮化铝层，所述至少两种衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度不同；

提供一石墨基座，所述石墨基座上设有多个口袋，所述多个口袋分布在以所述石墨基座的中心为圆心的至少两个同心圆上；

在每个所述口袋中放置一个所述衬底，所述衬底上的氮化铝层朝向所述口袋的开口，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度相同，分布在所述至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度自所述至少两个同心圆的圆心沿所述至少两个同心圆的径向逐渐减少；

同时在每个所述口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述提供至少两种衬底，所述衬底上设有掺杂氧元素的氮化铝层，所述至少两种衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度不同，包括：

分别采用物理气相沉积技术在不同的衬底上形成掺杂不同浓度的氧元素的氮化铝层。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述分别采用物理气相沉积技术在不同的衬底上形成掺杂不同浓度的氧元素的氮化铝层，包括：

在物理气相沉积反应室内设置铝靶；

依次将各个衬底放入所述物理气相沉积反应室，并在将衬底放入所述物理气相沉积反应室之后，向所述物理气相沉积反应室内通入氮气和氧气，利用经电场加速的离子轰击所述铝靶，在所述衬底上形成掺杂氧元素的氮化铝层，所述至少两种衬底上的氮化铝层形成时向所述物理气相沉积反应室内通入的氧气的流量不同。

4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，向所述物理气相沉积反应室内通入的氧气的流量为1sccm～5sccm。

5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，分布在相邻两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层形成时向所述物理气相沉积反应室内通入的氧气的流量之差为0sccm～2sccm。

6.根据权利要求3～5任一项所述的生长方法，其特征在于，向所述物理气相沉积反应室内通入的氮气的流量为50sccm～200sccm。

7.根据权利要求3～5任一项所述的生长方法，其特征在于，在所述衬底上形成掺杂氧元素的氮化铝层时所述物理气相沉积反应室的压力为4torr～6torr。

8.根据权利要求3～5任一项所述的生长方法，其特征在于，在所述衬底上形成掺杂氧元素的氮化铝层时所述物理气相沉积反应室的温度为400℃～800℃。

9.根据权利要求3～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述生长方法还包括：

在将衬底放入所述物理气相沉积反应室之前，对所述衬底进行清洗。

10.根据权利要求1～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为10nm～50nm。