[发明专利]一种沉积炉管

权利要求书

1.一种沉积炉管，包括：

反应腔，其一端封闭，另一端具有开口；

加热器，围绕反应腔的外周设置；

晶舟，位于反应腔内，用于承载多个批次的晶圆；

底座，支撑晶舟，底座能够带动晶舟移入反应腔并将开口封闭，或带动晶舟移出反应腔；及

辅助加热部，设置于反应腔的一端，位于晶舟的上方，配置辅助加热部为在加热器加热的同时对位于晶舟顶部的晶圆的中部加热。

2.如权利要求1所述的沉积炉管，其中，辅助加热部至少部分的覆盖反应腔的一端的内表面。

3.如权利要求1所述的沉积炉管，其中，辅助加热部、晶舟及反应腔同轴设置。

4.如权利要求1所述的沉积炉管，其中，辅助加热部包括电阻丝。

5.如权利要求4所述的沉积炉管，其中，电阻丝为圆盘形，且辅助加热部中部的电阻丝的密度大于辅助加热部外周的电阻丝的密度。

6.如权利要求5所述的沉积炉管，其中，辅助加热部包括多条环形电阻丝，多条电阻丝与反应腔同轴设置，且靠近轴线的电阻丝的数量大于远离轴线的电阻丝的数量。

7.如权利要求5所述的沉积炉管，其中，辅助加热部包括多条电阻丝，多条电阻丝自圆盘形的圆心呈放射状分布。

8.如权利要求1所述的沉积炉管，其中，沉积炉管配置为在沉积工艺过程中，利用反应腔内通入的反应气体，在晶圆表面沉积薄膜。

9.如权利要求8所述的沉积炉管，其中，沉积工艺为低压化学气相沉积工艺，反应气体为是甲硅烷、二氯化硅烷、四氯化硅及氨气中的一种或多种，低压化学气相沉积工艺过程中，反应腔内压力为0.1～100torr，反应腔内温度为350～800℃。

10.如权利要求8所述的沉积炉管，其中，薄膜厚度为2～150nm，晶圆中心的薄膜厚度和晶圆边缘的薄膜厚度比例为1:1.025。