[发明专利]批次型等离子体衬底处理装置

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，包括：

管材，被配置成提供处理空间，在所述处理空间中处理多个衬底；

衬底支撑部件，被配置成于所述处理空间中装载所述多个衬底，以使得所述多个衬底在第一方向上堆叠；

气体供应管道，被配置成将处理所述衬底的工艺所需的工艺气体供应到所述管材中；

排气部件，被配置成与所述管材连通且将所述处理空间内的工艺残留物排放到外部；以及

等离子体反应部件，从所述管材延伸，通过用以界定形成有等离子体的放电空间的分离壁与所述处理空间分离，并对从所述气体供应管道供应的所述工艺气体进行等离子体分解以由此将经分解工艺气体供应到所述处理空间，其中，

所述等离子体反应部件包括：

多个电源供应电极部件，容置在所述放电空间中且在所述第一方向上延伸；以及

接地电极部件，设置在所述多个电源供应电极部件之间且在所述第一方向上延伸，

其中所述多个电源供应电极部件中的每一者被施加射频功率，

其中所述接地电极部件与所述多个电源供应电极部件彼此间隔开且接地，

其中所述多个电源供应电极部件中的每一者与所述接地电极部件之间的每一空间形成多个等离子体产生空间，以产生电容耦合等离子体。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步包括可变电源供应部件，所述可变电源供应部件被配置成藉由控制施加至所述多个电源供应电极部件中的每一者的所述射频功率的强度或比率以对所述多个电源供应电极部件中的每一者施加所述射频功率。

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述可变电源供应部件包括：

电源供应部件，被配置成对所述多个电源供应电极部件供应所述射频功率；以及

多个可变电容器，分别设置在所述电源供应部件与所述多个电源供应电极部件之间。

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述可变电源供应部件进一步包括探测杆，所述探测杆分别设置在位于所述多个电源供应电极部件与所述接地电极部件之间的空间中且被配置成测量所述等离子体的放电特性值，且所述射频功率的所述强度或所述比率是根据由所述探测杆所测量出的所述放电特性值来调整。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步包括陶瓷管材，所述陶瓷管材被配置成环绕所述多个电源供应电极部件的外周边表面及所述接地电极部件的外周边表面。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述多个电源供应电极部件与所述接地电极部件被配置成在所述管材的周边方向上彼此间隔开，且所述气体供应管道在所述第一方向上延伸并设置有多个，且设置在所述电源供应电极部件中的每一者的外部。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述气体供应管道包括在所述第一方向上排列的多个供应口，且所述气体供应管道的所述供应口被形成为面对与所述电源供应电极部件相反的方向。

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述气体供应管道在连接所述电源供应电极部件与所述接地电极部件的管线外部设置有多个，且所述气体供应管道在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上排列的多个供应口，且所述气体供应管道中的每一者的所述供应口被设置成分别面对位于所述电源供应电极部件与所述接地电极部件之间的空间。

9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，所述等离子体反应部件包括在所述第一方向上与所述电源供应电极部件及所述衬底支撑部件对应地进行排列的多个喷射口，且所述喷射口与所述供应口被设置成相对于从所述管材的中心轴线到所述供应口的径向方向彼此不对准。

10.一种衬底处理装置，其特征在于，包括：

管材，被配置成提供处理空间，在所述处理空间中处理多个衬底；

衬底支撑部件，被配置成于所述处理空间中装载所述多个衬底，以使得所述多个衬底在第一方向上堆叠；

气体供应管道，被配置成将工艺气体供应到所述管材中，其中所述工艺气体包括源气体以及反应气体；

排气部件，被配置成与所述管材连通且将所述处理空间内的工艺残留物排放到外部；以及

等离子体反应部件，从所述管材延伸，通过用以界定形成有等离子体的放电空间的分离壁与所述处理空间分离，并对从所述气体供应管道供应的所述工艺气体进行等离子体分解以由此将经分解工艺气体供应到所述处理空间，其中，

所述等离子体反应部件包括：

多个电源供应电极部件，容置在所述放电空间中且在所述第一方向上延伸；以及

接地电极部件，设置在所述多个电源供应电极部件之间且在所述第一方向上延伸，

其中所述多个电源供应电极部件中的每一者被施加射频功率，

其中所述接地电极部件与所述多个电源供应电极部件彼此间隔开且接地，

其中所述多个电源供应电极部件中的每一者与所述接地电极部件之间的每一空间形成多个等离子体产生空间，以产生电容耦合等离子体，

其中所述气体供应管道包括：

反应气体供应管道，被配置成对所述等离子体反应部件供应所述反应气体；以及

源气体供应管道，被配置成对所述处理空间供应所述源气体。