[发明专利]磁传感器中的杂散场抑制

权利要求书

1.一种场传感器设备(99)，包括：

-参考场传感器(10)，用参考电流偏置，所述参考场传感器响应于场提供参考传感器信号(14)，

-校准场传感器(20)，用可调电流偏置，并且响应于所述场提供校准传感器信号(24)，

其中，当所述校准场传感器以不同于所述参考电流的校准电流来偏置时，所述校准场传感器提供基本上等于所述参考传感器信号的校准传感器信号，

其特征在于，所述场传感器设备被布置成当处于校准模式时暴露于均匀校准场，并且当处于操作模式时暴露于为场梯度的操作场。

2.如权利要求1所述的场传感器设备，包括多个校准场传感器。

3.如权利要求1或2所述的场传感器设备，其中所述场是磁场。

4.如权利要求1或2所述的场传感器设备，其中所述参考场传感器和所述一个或多个校准场传感器以共同参考电压来偏置。

5.如权利要求1或2所述的场传感器设备，包括：参考电流源，被布置为提供所述参考电流；以及可调电流源，用于提供所述可调电流。

6.如权利要求1或2所述的场传感器设备，包括比较器，所述比较器将所述参考传感器信号与所述校准传感器信号进行比较。

7.如权利要求1或2所述的场传感器设备，其中所述参考场传感器、所述校准场传感器或所述参考场传感器和所述校准场传感器两者是数字传感器，或其中所述参考传感器信号、所述校准传感器信号或所述参考传感器信号和所述校准传感器信号两者是数字信号。

8.如权利要求1或2所述的场传感器设备，包括转换器，用于将所述参考传感器信号、所述校准传感器信号或所述参考传感器信号和所述校准传感器信号两者转换为数字信号。

9.如权利要求1或2所述的场传感器设备，包括控制电路，所述控制电路被布置成以不同于所述参考电流的校准电流来控制所述校准场传感器的可调电流偏置，使得所述校准场传感器提供基本上等于所述参考传感器信号的校准传感器信号。

10.一种校准场传感器设备的方法，包括：

a)向所述场传感器设备的参考场传感器(10)和校准场传感器(20)两者提供均匀的校准场，

b)比较分别由所述参考场传感器和所述校准场传感器提供的参考传感器信号(14)和校准传感器信号(24)，其特征在于以下步骤：

c)如果所述参考传感器信号和所述校准传感器信号基本上不相等，则响应于所述比较，用调整的电流偏置所述校准场传感器，以及

d)重复步骤b)和c)直到所述校准传感器信号基本上等于所述参考传感器信号。

11.如权利要求10所述的方法，其中在向顾客提供所述场传感器设备之前，执行步骤a)至d)，并且其中在向所述顾客提供所述场传感器设备之后，执行步骤：向所述参考场传感器、所述校准场传感器、或所述参考场传感器和所述校准场传感器两者提供操作场，并且输出所述参考传感器信号、所述校准传感器信号、所述参考传感器信号和所述校准传感器信号两者、或所述参考传感器信号和所述校准传感器信号的组合。

12.如权利要求10或11所述的方法，包括处理所述参考传感器信号和所述校准传感器信号以形成梯度信号。

13.如权利要求10或11所述的方法，其中所述场传感器设备包括多个校准场传感器，所述方法包括处理来自所述多个校准场传感器的所述校准传感器信号中的两个或更多个信号以提供梯度信号。

14.如权利要求10或11所述的方法，其中所述场传感器设备包括多个校准场传感器，并且所述方法包括组合来自每个校准场传感器的所述校准传感器信号，以提供组合的传感器信号。

15.一种操作场传感器设备的方法，包括：

a)提供如权利要求1至9中的任一项所述的场传感器设备；以及

b)向所述参考场传感器(10)、所述校准场传感器(20)或所述参考场传感器和所述校准场传感器两者提供操作场；以及

c)输出所述参考传感器信号(14)、所述校准传感器信号(24)、所述参考传感器信号和所述校准传感器信号两者或所述参考传感器信号和所述校准传感器信号的组合。