[发明专利]一种应用于生物体植入系统的接口电路

权利要求书

1.一种应用于生物体植入系统的接口电路，其特征在于，包括射频电源电路、信号获取电路及信号发送电路；

所述射频电源电路接收1.7GHz的射频能量信号Rfg，并输出1.2V电源电压Vdd供给所述信号获取电路、所述信号发送电路；

所述信号获取电路接收传感器输出的生物体模拟信号Sia，并输出用于振幅键控调制的双路电压信号Vbp和Vbn到所述信号发送电路；

所述信号发送电路将部分1.7GHz射频能量信号Rfg转换为425MHz载波，并将输入的双路电压信号Vbp和Vbn调制放大，输出端输出生物体发送信号Rbs。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述射频电源电路包括MOS管M1至M13，电容C1至C8，电阻R1至R2，误差放大器A1，正射频能量接收端口RFP，负射频能量接收端口RFN，电源电压输出端口VPD；

MOS管M1的漏极连接MOS管M3的漏极，MOS管M1的栅极连接MOS管M3的栅极，MOS管M1的源极接地；MOS管M2的漏极连接MOS管M4的漏极，MOS管M2的栅极连接MOS管M4的栅极，MOS管M2的源极接地；MOS管M3的漏极连接电容C1的下端，MOS管M3的栅极连接电容C2的上端，MOS管M3的源极连接MOS管M4的源极；MOS管M4的漏极连接电容C2的上端，MOS管M4的栅极连接电容C1的下端；电容C1的上端连接正射频能量接收端口RFP，电容C2的下端连接负射频能量接收端口RFN；

MOS管M5的源极连接MOS管M3的源极，MOS管M5的漏极连接电容C3的下端，MOS管M5的栅极连接MOS管M7的栅极；MOS管M6的源极连接MOS管M4的源极，MOS管M6的漏极连接电容C4的上端，MOS管M6的栅极连接MOS管M8的栅极；MOS管M7的漏极连接MOS管M5的漏极，MOS管M7的源极连接MOS管M8的源极，MOS管M7的栅极连接电容C4的上端；MOS管M8的漏极连接MOS管M6的漏极，MOS管M8的栅极连接MOS管M6的栅极；电容C3的上端连接正射频能量接收端口RFP，电容C4的下端连接负射频能量接收端口RFN；

MOS管M9的源极连接MOS管M7的源极，MOS管M9的漏极连接MOS管M11的漏极，MOS管M9的栅极连接MOS管M11的栅极；MOS管M10的源极连接MOS管M8的源极，MOS管M10的漏极连接MOS管M12的漏极，MOS管M10的栅极连接MOS管M12的栅极；MOS管M11的漏极连接电容C5的下端，MOS管M11的源极连接MOS管M12的源极，MOS管M11的栅极连接MOS管M6的上端；MOS管M12的漏极连接电容C6的上端，MOS管M12的栅极连接电容C5的下端，MOS管M12的源极连接MOS管M13的源极；电容C5的上端连接正射频能量接收端口RFP，电容C6的下端连接负射频能量接收端口RFN；

电容C7的上端连接MOS管M13的源极，电容C7的下端接地；MOS管M13的栅极连接误差放大器A1的输出端，MOS管M13的漏极连接电阻R1的上端；误差放大器A1的反相输入端连接基准电压源Vref，误差放大器A1的正相输入端连接电阻R1的下端；电阻R1的上端连接电容C8的上端，电阻R1的下端连接电阻R2的上端，电阻R2的下端接地；电容C8的上端连接电源电压输出端口VPD，电容C8的下端接地。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号获取电路包括模数转换器ATD，串并转换器PTS，多路复用器MU1至MU3，正相电压信号输出端口VBP，反相电压信号输出端口VBN；

所述信号获取电路中生物体模拟信号Bas由模数转换器ATD的输入端输入，所述模数转换器ATD输出端输出生物体并行数字信号Bpds到串并转换器PTS的输入端；所述串并转换器PTS的输出端输出生物体串行数字信号Bsds到多路复用器MU1的输入通道I12；0V电压输入到所述多路复用器MU1的输入通道I11；多路复用器MU1的输出端连接多路复用器MU2的选择控制端S2，并连接多路复用器MU3的选择控制端S3；610mV电压输入到多路复用器MU2的输入通道I21，1.2V电压输入到多路复用器MU2的输入通道I22；多路复用器MU2的输出端连接正相电压信号输出端口VBP；0V电压输入到多路复用器MU3的输入通道I31，540mV电压输入到多路复用器MU3的输入通道I32；多路复用器MU3的输出端连接反相电压信号输出端口VBN。

4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号发送电路包括MOS管M14至M29，电容C9至C14，电阻R3至R6，反相器INV，电感L1，偏置电压输入端口VBIAS1，偏置电压输入端口VBIAS2，射频信号输入端口VINJ，正相电压信号输入端口VIP，反相电压信号输入端口VIN，发送信号输出端口VRA；

MOS管M14的栅极连接偏置电压输入端口VBIAS1，MOS管M14的源极连接电源Vdd，MOS管M14的漏极连接MOS管M20的漏极；MOS管M15的栅极连接MOS管M14的栅极，MOS管M15的源极连接电源Vdd，MOS管M15的漏极连接MOS管M21的漏极；MOS管M16的栅极连接MOS管M15的栅极，MOS管M16的源极连接电源Vdd，MOS管M16的漏极连接MOS管M22的漏极；MOS管M17的栅极连接MOS管M16的栅极，MOS管M17的源极连接电源Vdd，MOS管M17的漏极连接MOS管M23的漏极；MOS管M18的栅极连接MOS管M17的栅极，MOS管M18的源极连接电源Vdd，MOS管M18的漏极连接MOS管M24的漏极；MOS管M19的栅极连接MOS管M18的栅极，MOS管M19的源极连接电源Vdd，MOS管M19的漏极连接MOS管M25的漏极；

MOS管M20的栅极连接MOS管M16的漏极，MOS管M20的源极接地；MOS管M21的栅极连接MOS管M20的漏极，MOS管M21的源极接地；MOS管M22的栅极连接MOS管M21的漏极，MOS管M22的源极接地；MOS管M23的栅极连接MOS管M19的漏极，MOS管M23的源极接地；MOS管M24的栅极连接MOS管M23的漏极，MOS管M24的源极接地；MOS管M25的栅极连接MOS管M24的漏极，MOS管M25的源极接地；

电容C9的左端连接射频信号输入端口VINJ，电容C9的右端连接MOS管M26的栅极；电阻R3的下端连接偏置电压输入端口VBIAS2，电阻R3的上端连接电容C9的右端；MOS管M26的漏极连接MOS管M15的漏极，MOS管M26的源极连接MOS管M16的漏极；MOS管M27的栅极连接MOS管M26的源极，MOS管M27的漏极连接MOS管M18的漏极，MOS管M27的源极连接MOS管M19的漏极；

反相器INV的输入端连接MOS管M27的源极，反相器INV的输出端连接电容C10的左端；电阻R4的左端连接反相器INV的输入端，电阻R4的右端连接反相器INV的输出端；电阻R5的左端连接正相电压信号输入端口VIP，电阻R5的右端连接MOS管M28的栅极；电阻R6的左端连接反相电压信号输入端口VIN，电阻R6的右端连接MOS管M29的栅极；电容C10的左端连接电阻R4的右端，电容C10的右端连接电阻R5的右端，电容C11的左端连接电阻R4的右端，电容C11的左端连接电容C6的右端；MOS管M28的源极连接电源Vdd，MOS管M28的栅极连接电容C10的右端，MOS管M28的漏极连接MOS管M29的漏极；MOS管M29的栅极连接电容C11的右端，MOS管M29的漏极连接MOS管M13的左端，MOS管M29的源极接地；

电容C13的左端连接MOS管M28的漏极，电容C13的右端连接电容C14的左端，电感L1的上端连接电容C13的右端，电感L1的下端接地；电容C12的上端连接电容C14的右端，电容C12的下端接地；电容C14的左端连接电感L1的上端，电容C14的右端连接发送信号输出端口VRA。