[发明专利]改善光刻胶表面粗糙度的方法在审
| 申请号： | 201811060348.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109062010A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 成智国;耿文练 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 光刻胶表面 粗糙度 烘干 疏水化处理 晶圆表面 光刻胶 烘焙 喷淋 半导体集成电路制造 匀胶显影机 均匀涂布 冷板冷却 旋转涂胶 用溶剂 清洗 传送 曝光 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，包括：
S1：应用六甲基二硅胺脘蒸汽(HMDS)对清洗过后的晶圆表面进行疏水化处理；
S2：将经疏水化处理过后的晶圆传送至匀胶显影机的冷板冷却至室温，通过转速为ω0的旋转涂胶方法将光刻胶均匀涂布在晶圆表面；
S3：以烘焙温度T0对涂有光刻胶的晶圆进行烘干；
S4：以转速ω1旋转经步骤S3烘干后的晶圆，并同时用溶剂喷淋在光刻胶表面，其中ω1＜ω0；以及
S5：以烘焙温度T1对经步骤S4喷淋后的晶圆进行再次烘干，其中T1＜T0。
2.根据权利要求1所述的改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤S1中应用120℃六甲基二硅胺脘蒸汽(HMDS)对清洗过后的晶圆表面进行疏水化处理30s。
3.根据权利要求1所述的改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤S4中使用与光刻胶中的溶剂相同的溶剂对光刻胶表面进行喷淋。
4.根据权利要求1所述的改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，ω1＝{(ω0-800)～(ω0-500)}r/min。
5.根据权利要求1所述的改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤S4中将溶剂喷淋在光刻胶表面的凸起结构上。
6.根据权利要求1所述的改善光刻胶表面粗糙度的方法，其特征在于，T1＝{(T0-50)～(T0-25)}℃。
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