[发明专利]可伸展OLED屏体及其制作工艺有效
| 申请号: | 201811059555.8 | 申请日: | 2018-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN109148546B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
| 发明(设计)人: | 吕勇;冯建斌;李育豪;朱映光;谢静 | 申请(专利权)人: | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 李冬梅 |
| 地址: | 065500 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 伸展 oled 及其 制作 工艺 | ||
1.一种可伸展OLED屏体,其特征在于:包括:位于下方的第一弹性层(1),若干设置于第一弹性层(1)上的发光区和位于发光区上方且与第一弹性层(1)、发光区粘合的第二弹性层(2);
所述第一弹性层(1)上间隔设置若干导电区且两相邻导电区的外接极性相反,每一发光区分布在两相邻的导电区之间;每一导电区包括:若干分布在发光区周围的连接块(4)且两相邻连接块(4)之间通过金属导线连通;所述发光区包括:若干OLED发光块(5)且所述OLED发光块(5)分别与其周围的连接块(4)通过金属导线(3)连接;所有所述OLED发光块(5)和连接块(4)形成刚性区;所述第一弹性层(1)上其余位置为弹性区。
2.根据权利要求1所述的一种可伸展OLED屏体,其特征在于:还包括:若干弹性材质的断差填充部(13),所述断差填充部(13)分布在OLED发光块(5)与其周围的连接块(4)之间及两相邻连接块(4)之间。
3.根据权利要求2所述的一种可伸展OLED屏体,其特征在于:所述断差填充部(13)顶部边沿与所述连接块(4)顶部相齐。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种可伸展OLED屏体,其特征在于:所述金属导线(3)为S型或N型结构且其材质为:Ag,Al,Au、Cu。
5.根据权利要求1至3任一项所述的一种可伸展OLED屏体,其特征在于:所述金属导线(3)为S型或N型结构且其由纳米碳管、石墨烯或纳米银线涂布制作而成。
6.根据权利要求1至3任一项所述的一种可伸展OLED屏体,其特征在于:所述OLED发光块(5)在所述第一弹性层(1)上阵列排布且其形状为圆形、三角形、四边形、六边形、多边形中的一种或几种。
7.根据权利要求1或2所述的一种可伸展OLED屏体,其特征在于:所述OLED发光块(5)呈正四边形且每一导电区中连接块(4)的数量为2n+2;n为OLED发光块的数量,其中:n=1、2……。
8.根据权利要求1或2所述的一种可伸展OLED屏体,其特征在于:所述OLED发光块(5)呈正六边形且每一导电区中连接块(4)的数量为3n+2;n为OLED发光块的数量,其中:n=1、2……。
9.一种可伸展OLED屏体的制作工艺,其特征在于:具体包括如下步骤:
S1:制作聚酰亚胺基板:将聚酰亚胺溶液涂布在载体上,处理液态聚酰亚胺使其固化成膜,得到聚酰亚胺基板;
S2:制作发光区:在聚酰亚胺基板上完成OLED发光块的制作;
S3:剥离载体:将聚酰亚胺基板与载体分离;
S4:贴合第一弹性层:将聚酰亚胺基板贴附在第一弹性层且二者之间粘合;
S5:制作导电区:在所述第一弹性层上制作连接块,得到导电区,每一发光区分布在相邻的导电区之间,被连接块包围;
S6:图形化聚酰亚胺基板:将第一弹性层上弹性区上的聚酰亚胺基板除去;
S7:制备金属导线:将金属导线制备在第一弹性层上,OLED发光块与其周围的连接块之间通过金属导线连通;每一导电区中两相邻连接块之间通过金属导线形成通路,每一导电区通过连接块和金属导线形成通路;
S8 :贴合第二弹性层:将第二弹性层与所述第一弹性层、发光区粘合。
10.根据权利要求9所述的一种可伸展OLED屏体的制作工艺,其特征在于:在S6与S7之间,还包括如下步骤:
S6-S7:制备断差填充部:在所述OLED发光块与其周围的连接块之间制备断差填充部,所述断差填充部的高度与所述连接块之间的高度相同。
11.根据权利要求9所述的一种可伸展OLED屏体的制作工艺,其特征在于:在S7中,通过丝网印刷、打印或蒸镀将金属导线制备在第一弹性层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





