[发明专利]一种熔石英元件修复方法及熔石英元件

权利要求书

1.一种熔石英元件修复方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤a，将待修复的熔石英元件进行清洁；

步骤b，将熔石英元件在预设温度下与硅前驱气体进行反应，以使所述硅前驱气体通过与所述熔石英元件表面的羟基反应吸附在所述熔石英元件表面；

步骤c，对所述熔石英元件进行清理；

步骤d，采用氧前驱气体与经步骤c清理后的所述熔石英元件表面的硅前驱气体进行反应，在所述熔石英元件表面形成原子层；

步骤e，对经步骤d处理后的所述熔石英元件进行清理；

步骤f，重复步骤b～步骤e，直到形成的原子层将所述熔石英元件表面的缺陷填平，以完成对所述熔石英元件的修复。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将熔石英元件在预设温度下与硅前驱气体进行反应，以使所述前驱气体通过与所述熔石英元件表面的羟基反应吸附在所述熔石英元件表面，包括：

将清洁后的熔石英元件放入到原子层沉积腔室内；

加热所述原子层沉积腔室内，使所述原子层沉积腔室内温度达到预设温度；

将硅前驱气体通入所述原子层沉积腔室，所述前驱气体与所述熔石英元件表面吸附的羟基反应，以使所述前驱气体通过与所述熔石英元件表面的羟基反应吸附在所述熔石英元件表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用氧前驱气体与经步骤c清理后的所述熔石英元件进行反应，在所述熔石英元件形成原子层，包括：

将所述氧前驱体通入所述原子层沉积腔室，以使所述清理后的熔石英元件的表面吸附的所述前驱气体与所述氧前驱体进行反应；

所述氧前驱体与所述前驱气体反应后产生一层原子层覆盖在所述熔石英元件表面。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤c包括：

向所述原子层沉积腔室内中通入氮气；

通过通入的氮气将未与所述熔石英元件表面吸附的羟基进行反应的硅前驱气体，及所述熔石英元件表面吸附的羟基与所述硅前驱气体反应产生的副产物排出所述原子层沉积腔室。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤e包括：

向所述原子层沉积腔室内中通入氮气；

通过通入的氮气将未与所述熔石英元件表面吸附的硅前驱体进行反应的氧前驱体，及所述熔石英元件表面吸附的硅前驱体与所述氧前驱体反应产生的副产物排出所述原子层沉积腔室。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将熔石英元件在预设温度下与硅前驱气体进行反应，以使所述硅前驱气体通过与所述熔石英元件表面的羟基反应吸附在所述熔石英元件表面，还包括；

对硅前驱体进行加热，产生所述硅前驱体气体；

将产生的所述硅前驱气体通入所述原子层沉积腔室内。

7.根据权利要求2中所述的方法，其特征在于，采用氧前驱气体与经步骤c清理后的所述熔石英元件表面的硅前驱气体进行反应，在所述熔石英元件表面形成原子层，还包括：

采用臭氧发生器产生所述氧前驱气体；

将所述氧前驱气体通入所述原子层沉积腔室内。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

测量所述熔石英元件的缺陷深度；

根据所述熔石英元件的缺陷深度与单次沉积原子层的厚度，确定重复所述步骤b～步骤e的次数。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a包括：

使用清洗液清洗除去所述熔石英元件表面的有机物、颗粒物；

利用浓硫酸双氧水清洗所述熔石英元件，以使所述熔石英元件表面羟基化；

在将所述熔石英元件清洗后，将所述熔石英元件表面的液体去除。

10.一种熔石英元件，其特征在于，所述熔石英元件采用权利要求1-9中任一项所述的熔石英元件修复方法进行修复。