[发明专利]一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201811058580.4 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109216484B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;延燕飞;戴越 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 algaas 多结异质 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池，其特征在于，自下而上依次有背面电极（1）、多结半导体层（2）、石墨烯/AlxGa1-xAs层（3）和正面电极（4），且石墨烯/AlxGa1-xAs层（3）是直接转移至多结半导体层表面形成键合，AlxGa1-xAs与多结半导体层直接接触，石墨烯设置在AlxGa1-xAs上，其中AlxGa1-xAs层中0＜x＜1；所述的多结半导体层（2）自下而上依次包括Ge电池、第一隧穿层、GaAs电池、第二隧穿层。
2.根据权利要求1所述的石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的第一隧穿层、第二隧穿层均选自重掺杂的：AlGaAs、GaInP、GaAs、或InGaAs。
3.根据权利要求1所述的石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的石墨烯/AlxGa1-xAs层（3）中石墨烯的厚度为0.4纳米至10纳米。
4.根据权利要求1所述的石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的AlxGa1-xAs中，x为0.2~0.5。
5.根据权利要求1所述的石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的背面电极是金、钯、银、钛、铬、镍、ITO、FTO、AZO的一种或者几种的复合电极。
6.根据权利要求1所述的石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的正面电极是金、钯、银、钛、铜、铂、铬、镍、ITO、FTO、AZO的一种或者几种的复合电极。
7.制造如权利要求1-6任一项所述的石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
1）首先制备Ge太阳能电池，然后在Ge太阳能电池一面制作背面电极，另一面生长第一隧穿层；
2）再在第一隧穿层上生长GaAs太阳能电池，之后在GaAs太阳能电池上制作第二隧穿层；
3）采用湿法转移将石墨烯转移至预先生长好的AlxGa1-xAs上，获得石墨烯/AlxGa1-xAs，再采用湿法转移法将石墨烯/AlxGa1-xAs转移至第二隧穿层上，使AlxGa1-xAs与第二隧穿层直接接触并键合，最后在石墨烯上制备正面电极，得到石墨烯/AlxGa1-xAs多结异质太阳能电池。
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