[发明专利]微纳尺度近场能量输运调制系统

权利要求书

1.一种微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，包括调制器(2)、高温物体(1)以及低温物体(3)；

所述高温物体(1)的温度高于所述低温物体(3)的温度；

所述调制器(2)设置在高温物体(1)、低温物体(3)之间；

所述微纳尺度近场能量输运调制系统，还包括基底(5)；

所述高温物体(1)、低温物体(3)均沉积在基底(5)上；

所述高温物体(1)、低温物体(3)由二维或三维的周期性结构构成；所述调制器(2)由光栅阵列构成。

2.根据权利要求1所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，高温物体(1)与调制器(2)之间的距离d₁、调制器(2)与低温物体(3)之间的距离d₂均小于预设热波长。

3.根据权利要求1所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述高温物体(1)结构单元的数量、调制器(2)结构单元的数量以及低温物体(3)结构单元的数量均为多个。

4.根据权利要求3所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述高温物体(1)结构单元的数量、低温物体(3)结构单元的数量均与调制器(2)结构单元的数量相同。

5.根据权利要求1所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述高温物体(1)的厚度δ₁等于低温物体(3)的厚度δ₃；

所述调制器(2)的厚度δ₂小于高温物体(1)的厚度δ₁。

6.根据权利要求5所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述高温物体(1)的厚度δ₁为200nm至600nm之间。

7.根据权利要求5所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述调制器(2)的厚度δ₂为100nm至500nm之间。

8.根据权利要求5所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述高温物体(1)、调制器(2)以及低温物体(3)这三者的周期P为100nm至300nm之间；

所述高温物体(1)与低温物体(3)这两者的填充比均小于或等于调制器(2)的填充比。

9.根据权利要求8所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述高温物体(1)与低温物体(3)这两者的填充比均为0.1至0.5之间；

所述调制器(2)的填充比为0.2至0.6之间。

10.根据权利要求1所述的微纳尺度近场能量输运调制系统，其特征在于，所述高温物体(1)、调制器(2)以及低温物体(3)这三者的材料均为掺杂硅材料或二维双曲材料六方氮化硼材料。