[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及非挥发式存储器的特殊资讯的数据结构，具体地说，涉及数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法。关于一档案，一非挥发式存储器是以一第一区块储存该档案的档案内容，并以一第二区块储存该档案的档案系统数据。该非挥发式存储器上维护的一根目录包括该第一区块以及该第二区块的使用资讯。变动该根目录使更新该第一区块以及该第二区块的使用资讯时，该第一区块以及该第二区块的使用资讯亦更新至该第二区块作为元数据。元数据以及根目录的高度同步将大大简化一复电程序。

技术领域

本发明有关于数据储存装置以及其中非挥发式存储器的控制方法。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

然而，非挥发式存储器的写入操作可能被非预期掉电中断。为确保数据可靠度，数据储存装置需要一复电程序。有效率的复电程序为本技术领域一项重要课题。

发明内容

本发明提出一种数据结构，帮助实现高效的复电程序。

根据本发明一种实施方式实现的数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。根据一主机的要求，该控制器写入一档案(file)至该非挥发式存储器。该控制器令该非挥发式存储器以一第一区块接收该档案的档案内容(file content)。该控制器令该非挥发式存储器以一第二区块接收该档案的档案系统数据(file system data)。该控制器在该非挥发式存储器上维护一根目录(root table)，包括该第一区块以及该第二区块的使用资讯。变动该根目录使更新该第一区块以及该第二区块的使用资讯时，该控制器还将该第一区块以及该第二区块的使用资讯更新至该第二区块作为元数据。元数据以及根目录的高度同步将大大简化一复电程序。

一种实施方式中，该控制器是将该根目录完整复制至该第二区块作为元数据。一页空间包括N个写入单位，N为大于一的整数。该根目录的尺寸可小于单一个写入单位。该控制器可规划该第二区块的一页的一写入单位复制该根目录作为上述元数据，并规划该第二区块的该页的其他(N-1)个写入单位填写上述档案系统数据。

该数据储存装置的一复电程序中，该控制器可根据该根目录寻得该第二区块，且受益于上述元数据是更新自该根目录，略去上述元数据以及该根目录的核对，即判断该第二区块是否可靠，以续用该第二区块应付档案系统数据的储存。

一种实施方式中，载于该根目录、且更新至该第二区块作为元数据者包括：该第一区块的编号，以及该第一区块的页使用状况；该第二区块的编号，以及该第二区块的页使用状况；以及一第三区块的编号，该第三区块为前一个用作档案系统数据储存的区块。

一种实施方式中，该控制器判定该第二区块不可靠时，还根据该根目录寻得该第三区块，判断是否续用该第三区块应付档案系统数据的储存。

一种实施方式中，该控制器顺向搜寻该第二区块，在寻得一首空页后，逆向搜寻该第二区块，以定义一最末有效页，并对寻得的不可靠页进行虚数据复写，使得以续用该第二区块应付档案系统数据的储存。

本发明还揭示非挥发式存储器控制方法。

下文特举实施例，并配合附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1以方块图图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置100，其中包括快闪存储器102以及控制器104；

图2还根据本发明一种实施方式详解根目录T4的数据结构，并显示根目录T4需填入区块TBlock作为元数据；