[发明专利]离子植入机有效

专利信息
申请号: 201811056894.0 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN109192646B 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 田成俊;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 杨楷;毛立群
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 离子 植入
【权利要求书】:

1.一种离子植入机,其特征在于,包括:

离子源结构,所述离子源结构所采用的离子源为电感耦合等离子体源,所述离子源结构包括用于提供气体分子离化的解离腔,在所述解离腔内形成有覆盖所述解离腔内壁的石墨保护层;

分析磁体,与所述离子源结构连接,能够接收所述离子源结构提供的离子束,并分离得到植入离子束;

价态转换装置,与所述分析磁体连接,能够接收从所述分析磁体出射的所述植入离子束,并对所述植入离子束中离子的价态进行转化。

2.根据权利要求1所述的离子植入机,其特征在于,所述离子植入机还包括炬管和高频线圈,所述炬管的材料为介电材料,所述炬管固定安装在所述解离腔内;所述炬管包括同轴设置的第一石英管和第二石英管,所述第一石英管设置在所述第二石英管内部,所述高频线圈包绕所述第二石英管的外侧壁设置。

3.根据权利要求2所述的离子植入机,其特征在于,所述解离腔包括离子出口,所述离子出口形成为朝向所述炬管收紧的漏斗状,设置在所述炬管的轴线上。

4.根据权利要求1所述的离子植入机,其特征在于,所述价态转换装置为反应池,所述反应池内通有轰击等离子体,用于对所述植入离子束进行轰击。

5.根据权利要求1所述的离子植入机,其特征在于,所述离子植入机还包括:

电子发生装置,所述电子发生装置为淹没式等离子体枪,其等离子体源为电感耦合等离子体源,设置于所述价态转换装置的下游,能够向所述植入离子束提供电子。

6.根据权利要求5所述的离子植入机,其特征在于,

所述电子发生装置包括:电子发生部和设置在所述电子发生部一侧的电子吸出部;

所述电子发生部包括:发生腔、第二炬管以及设置在所述第二炬管上的第二高频线圈;

所述发生腔上设置有气体口以及电子出口;

所述电子吸出部与偏压电源连接。

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