[发明专利]通过DC偏压调制的颗粒产生抑制器

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，包括：

等离子体腔室；

盖组件，设置在所述等离子体腔室上方，所述盖组件包括顶部电极和底部电极，所述底部电极定位成与所述顶部电极基本上平行；

基板支撑件，设置在所述等离子体腔室内，所述基板支撑件具有基板支撑表面；以及

气体分配板，设置在所述基板支撑件与所述盖组件之间，

其中，所述顶部电极与射频(RF)电源和DC偏压调制配置电通信，并且所述DC偏压调制配置被配置成在工艺期间以恒定为零的DC偏压电压操作所述顶部电极。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述DC偏压调制配置被设置在所述顶部电极与地之间。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述DC偏压调制配置包括DC电源和功率控制器，所述功率控制器被配置成对所述顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述DC偏压调制配置还包括耦接至所述DC电源的RF滤波器。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述DC偏压调制配置包括电部件，所述电部件可操作为将在所述顶部电极处产生的DC偏压引导至地。

6.如权利要求5所述的设备，其中所述电部件包括低通滤波器。

7.如权利要求5所述的设备，其中所述电部件可操作为对来自所述RF电源的RF信号提供高阻抗路径并且对来自所述顶部电极的DC信号提供低阻抗路径或无阻抗路径。

8.如权利要求5所述的设备，其中所述电部件包括芯元件以及绕所述芯元件的一部分缠绕的线圈。

9.如权利要求8所述的设备，其中所述芯元件包括高导磁率的杆或管。

10.如权利要求5所述的设备，其中所述电部件包括以单极或多级配置的带通滤波器。

11.如权利要求1所述的设备，其中所述工艺是基板处理工艺，所述基板处理工艺使用包括蚀刻剂或离子化的活性基的工艺气体。

12.如权利要求1所述的设备，其中所述RF电源在所述工艺期间提供约5W至5000W的RF功率。

13.一种用于基板处理腔室的盖组件，所述盖组件包括：

顶部电极和底部电极，所述底部电极定位成与所述顶部电极相对，其中所述顶部电极与射频(RF)电源和DC偏压调制配置电通信，并且所述DC偏压调制配置可操作为在基板处理工艺期间向所述顶部电极提供恒定为零的DC偏压电压。

14.如权利要求13所述的盖组件，其中所述DC偏压调制配置包括DC电源和功率控制器，所述功率控制器可操作为对所述顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压。

15.如权利要求13所述的盖组件，其中所述DC偏压调制配置还包括耦接至所述DC电源的RF滤波器。

16.如权利要求13所述的盖组件，其中所述DC偏压调制配置包括电部件，所述电部件可操作为将在所述顶部电极处产生的DC偏压引导至地。

17.如权利要求16所述的盖组件，其中所述电部件包括芯元件以及绕所述芯元件的一部分缠绕的线圈。

18.如权利要求17所述的盖组件，其中所述芯元件包括高导磁率的杆或管。

19.如权利要求16所述的盖组件，其中所述电部件包括以单极或多级配置的带通滤波器。

20.如权利要求13所述的盖组件，其中所述RF电源在所述基板处理工艺期间提供约5W至5000W的RF功率。