[发明专利]一种白光发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811052026.5 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109285927B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 曹先安;李珊;刘能;刘凌云 | 申请（专利权）人： | 湖北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 胡琦旖 |
| 地址： | 430068 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属纳米颗粒 白光发光二极管 有机发光聚合物 无机发光层 制备 半导体照明 有机聚合物 发光效率 混合结构 降频转换 制备工艺 发白光 白光 覆盖 | ||
1.一种白光发光二极管，其特征在于，包括：无机发光层结构、金属纳米颗粒、有机发光聚合物；所述金属纳米颗粒位于所述无机发光层结构之上，所述金属纳米颗粒上覆盖所述有机发光聚合物；
所述无机发光层结构包括无机LED发光层；所述金属纳米颗粒与所述无机LED发光层之间的距离小于50nm。
2.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、N型氮化物半导体层、无机LED发光层、P型氮化物半导体层。
3.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、P型氮化物半导体层、无机LED发光层、N型氮化物半导体层。
4.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于，所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒、金纳米颗粒、金银合金纳米颗粒中的一种；所述有机发光聚合物为PPV、PPV衍生物、聚芴、聚芴衍生物中的一种。
5.一种白光发光二极管的制备方法，其特征在于，在无机发光层结构上沉积金属纳米颗粒，在所述金属纳米颗粒上沉积有机发光聚合物；
所述无机发光层结构包括无机LED发光层；所述金属纳米颗粒与所述无机LED发光层之间的距离小于50nm。
6.根据权利要求5所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、N型氮化物半导体层、无机LED发光层、P型氮化物半导体层。
7.根据权利要求6所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在所述无机发光层结构的所述P型氮化物半导体层上利用光刻成型和等离子腐蚀形成一系列的气孔，所述气孔不穿透所述P型氮化物半导体层；
在所述气孔中通过热蒸发或溶液工艺沉积所述金属纳米颗粒；
在所述金属纳米颗粒上沉积所述有机发光聚合物。
8.根据权利要求5所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，所述无机发光层结构为无机蓝光LED结构或无机紫外LED结构，所述无机发光层结构包括从下至上依次层叠接触的无机LED基底、P型氮化物半导体层、无机LED发光层、N型氮化物半导体层。
9.根据权利要求8所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在所述无机发光层结构的所述N型氮化物半导体层上，利用光刻成型和等离子腐蚀形成一系列的气孔，所述气孔不穿透所述N型氮化物半导体层；
在所述气孔中通过热蒸发或溶液工艺沉积所述金属纳米颗粒；
在所述金属纳米颗粒上沉积所述有机发光聚合物。
10.根据权利要求5所述的白光发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒、金纳米颗粒、金银合金纳米颗粒中的一种；所述有机发光聚合物为PPV、PPV衍生物、聚芴、聚芴衍生物中的一种。
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