[发明专利]一种Al2

权利要求书

1.一种Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是，包括：

(1)采用原子层沉积法在球模板或球阵列模板上沉积厚度为5nm～1000nm的Al₂O₃薄膜；所述球模板为直径50nm～100000nm的聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球粉末；所述球阵列模板为附着于衬底上的单层或多层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列，球阵列中聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球的直径为50nm～100000nm；在多层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列中，每一层球阵列的周期和成分相同或不同；

步骤(1)中，原子层沉积法的参数为：

三甲基铝为前驱体源，去离子水、臭氧或经氧等离子体活化后的原子氧为氧化剂，前驱体源脉冲时间为0.01s～10s，氧化剂脉冲时间为0.01s～60s，吹扫时间为1s～1200s，沉积温度为10℃～200℃；

(2)对沉积了Al₂O₃薄膜的球模板或球阵列模板进行退火，或将沉积了Al₂O₃薄膜的球模板或球阵列模板放入有机溶剂中浸泡，去除球模板或球阵列模板，获得Al₂O₃空心球壳阵列。

2.如权利要求1所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

所述衬底为硅衬底、蓝宝石衬底、GaN衬底、SiC衬底、石英衬底、FTO导电玻璃衬底、ITO导电玻璃衬底、PEN塑料衬底、PET塑料衬底、铝衬底或铜片衬底。

3.如权利要求1所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

附着于衬底上的单层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列的制备方法为：

在衬底上制备聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球的单层有序球阵列，采用氧等离子处理球阵列，以获得所需的球直径尺寸。

4.如权利要求1所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

附着于衬底上的多层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列的制备方法为：

(a)在衬底上制备聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球的单层有序球阵列；

(b)采用氧等离子处理球阵列，以获得所需的球直径尺寸；

(c)重复步骤(a)和(b)，获得多层球阵列；

步骤(a)的重复中，每次在衬底上制备单层有序球阵列的方法相同或不同。

5.如权利要求3或4所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

采用气液界面自组装法、旋涂法、滴涂法或浸渍提拉法，在衬底上制备聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球的单层有序球阵列。

6.如权利要求1所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

附着于衬底上的多层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列的制备方法为：

采用电泳法，在导电衬底上沉积多层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列，采用氧等离子处理球阵列，以获得所需的球直径尺寸。

7.如权利要求6所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

所述导电衬底为FTO导电玻璃衬底、ITO导电玻璃衬底、铝衬底或铜片衬底。

8.如权利要求1所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

步骤(2)中，退火温度为200℃～1500℃。

9.如权利要求1所述的Al₂O₃空心球壳阵列的制备方法，其特征是：

步骤(2)中，有机溶剂为甲苯、氯仿或四氢呋喃。