[发明专利]一种复合内钝化膜单沟槽结构高可靠性整流器件应用芯片在审
| 申请号： | 201811046696.6 | 申请日： | 2018-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN110890415A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 冯亚宁;曹孙根;黄志祥;朱浩然;汪海波 | 申请（专利权）人： | 安徽微半半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 247000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 钝化 沟槽 结构 可靠性 整流 器件 应用 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种复合内钝化膜单沟槽结构高可靠性整流器件应用芯片，芯片的采用单沟槽设计，沟槽内壁表面采用复合内钝化层结构，复合内钝化层由多晶硅膜以及底层高纯度纳米级氧化膜、氮化硅膜、玻璃组成。
2.根据权利要求1所述芯片，其特征在于：由中间层单晶半导体本体、上层为P型硼结区和下层为N型磷结区的芯片体、台面、上电极金属层、下电极金属层。
3.根据权利要求1所述的单沟槽设计，其特征在于：沟槽侧面和上层台面的夹角≥120°设计。
4.根据权利要求1和权利要求3所述的单沟槽设计，其特征在于：在硅片扩散完成形成P/N结单向导通后，在硅片两侧涂光刻胶，在需要开沟的区域曝光紫外光，放置在显影液和定影液中，去除开沟区域的光刻胶，使用电子级的氢氟酸对沟槽区域的硅进行蚀刻腐蚀，需要分3次完成蚀刻工序，第一次时间30±2MIN，第二次时间45±2MIN，第三次时间100±2MIN，最终使沟槽侧面和上层台面的夹角≥120°。
5.根据权利要求1所述芯片，其特征在于：本发明沟槽内壁表面采用复合内钝化层结构，复合内钝化层结构除了要求覆盖在沟槽侧壁外，部分覆盖在上层台面的边缘区域，使对沟槽侧面更好的保护，提高芯片的稳定性和可靠性。
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