[发明专利]一种低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路

权利要求书

1.一种低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，包括：整流电路、恒流储能稳压电路、降压转换电路、变频驱动推挽输出隔离转换输出电路以及待供电设备；

整流电路的输入端接入MBUS总线，整流电路的输出端与恒流储能稳压电路输入端连接，恒流储能稳压电路将整流电路输出的电压信号转换输出为恒定电流信号和稳定直流电压信号；

恒流储能稳压电路的输出端与降压转换电路输入端连接，降压转换电路将恒流储能稳压电路输出的直流电压信号转换为5V电压；

降压转换电路的输出端与变频驱动推挽输出隔离转换电路的输入端连接，变频驱动推挽输出隔离转换电路将降压转换电路输出的电压信号稳压输出至待供电设备。

2.如权利要求1所述的低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，所述整流电路为二极管组成的桥式整流桥、三极管组成的整流桥、集成芯片桥或者晶闸管组成的整流桥。

3.如权利要求1所述的低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，所述恒流储能稳压电路为集成型稳压电路、运算型稳压电路或者晶体管型稳压电路。

4.如权利要求3所述的低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，所述晶体管型稳压电路包括第一晶体管、第二晶体管、储能电容以及稳压管，第一晶体管的基极与第二晶体管的发射极连接后经电阻R3接入所述整流电路的输出端，第一晶体管的发射极接入所述整流电路的输出端；

第一晶体管的集电极与第二晶体管的基极连接，第一晶体管的集电极经电阻R1接地，第二晶体管的集电极与所述储能电容的正极连接，所述储能电容的正极与稳压管的负极连接，稳压管的正极与所述储能电容的负极连接后接地。

5.如权利要求3所述的低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，所述集成型稳压电路包括恒流源集成电路芯片、稳压管和储能电容，恒流源集成电路芯片的输入端与所述整流电路输出端连接，恒流源集成电路芯片的输出端与储能电容连接，储能电容与稳压管并联。

6.如权利要求3所述的低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，所述运算型稳压电路包括集成运算放大器、晶体管、电阻、稳压管和储能电容；运算放大器的正向输入接入基准电压，运算放大器的输出端接入晶体管的基极，运算放大器的反向输入与晶体管的发射极连接后与电阻R110连接，电阻R110接VCC，晶体管的集电极与储能电容的正极连接，储能电容的负极与稳压管的正极连接后接地，稳压管的负极与储能电容的正极连接。

7.如权利要求1所述的低功耗隔离型总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，所述降压转换电路包括稳压器U2，稳压器U2的输入端与所述恒流储能稳压电路的输出端连接，稳压器U2将所述恒流储能稳压电路的输出的20-36V电压和1mA电流，转换为5V电压和35mW功率为待供电设备提供电能。

8.如权利要求1所述的低功耗总线取电MBUS通信接口电路，其特征在于，所述变频驱动推挽输出隔离转换电路包括驱动器U4和高频变压器，驱动器U4的输出端与高频变压器连接以输出开关信号驱动高频变压器的初级，高频变压器的次级通过中间抽头推完输出电压信号；

高频变压器的次级输出端分别与二极管D3的正极连连接和与二极管D5的正极连接，二极管D3的负极和二极管D5的负极连接后与滤波电容C3连接，滤波电容C3依次与稳压管D8并联和电阻R5并联；

稳压管D8的负极作为稳压输出端与所述待供电设备连接。