[发明专利]一种改善SiO2

权利要求书

1.一种改善SiO₂薄膜致密性的化学气相沉积方法，其特征在于，通过履带式常压化学气相沉积装置在硅片的表面覆盖SiO₂薄膜；

控制履带式常压化学气相沉积装置中履带的速度为5inch/min；

以SiH₄作为硅源，SiH₄的流量为25sccm；

氧气作为氧源，氧气的流量为625sccm；

履带的温度为400℃。

2.根据权利要求1所述的一种改善SiO₂薄膜致密性的化学气相沉积方法，其特征在于：履带包括一橡胶层以及埋设在橡胶层内的网状加热丝，所述履带的内侧设有两条环状的导电环，两条导电环沿着履带的宽度方向前后设置，两条导电环均与网状加热丝相连；

所述履带套设在主动辊与从动辊的外围；

所述主动辊的径向两侧设有分别用于容纳导电环的环状凹槽，所述环状凹槽的内壁电镀有碳层，所述主动辊轴向的一端与一电机的动力输出轴传动连接，所述主动辊轴向的另一端安装有一导电滑环，所述导电滑环的电能输出端分别与所述环状凹槽内的碳层电相连；

所述履带的内壁设有齿状凸起，所述主动辊与所述从动辊的外壁上设有与齿状凸起啮合的齿状凹槽。

3.根据权利要求1所述的一种改善SiO₂薄膜致密性的化学气相沉积方法，其特征在于：履带通过电机驱动，电机是一变频电机，所述变频电机的信号输入端连接一控制器，所述控制器的信号输入端连接一检测电机转速的编码器，所述编码器的转轴与所述变频电机的动力输出轴传动连接。