[发明专利]测试项目确定方法及装置、存储介质和电子设备有效
| 申请号: | 201811044826.2 | 申请日: | 2018-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN110888036B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
| 发明(设计)人: | 林祐贤 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测试 项目 确定 方法 装置 存储 介质 电子设备 | ||
本发明公开了一种测试项目确定方法及装置、存储介质和电子设备,涉及集成电路测试技术领域。该测试项目确定方法包括:获取当前集成电路芯片测试过程中成品测试阶段之前的测试数据;确定测试数据中与成品测试阶段相关的特征数据;根据特征数据确定成品测试阶段的测试项目。本公开可以提高成品测试阶段的测试效率。
技术领域
本公开涉及集成电路测试技术领域,具体而言,涉及一种测试项目确定方法、测试项目确定装置、存储介质和电子设备。
背景技术
集成电路(Integrated Circuit,IC)是一种微型电子器件或部件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、成膜等半导体制造工艺,把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上,然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。随着IC技术的发展,集成电路已经应用到各种类型的电子设备中。
集成电路芯片测试通常可以包括晶圆测试(Wafer Test,WT)、晶圆探针测试(Wafer Probe)和成品测试(Final Test,FT)阶段。其中,晶圆探针测试又可被记为CP(Circuit Probing,CP)。
可以将晶圆测试理解为晶圆从晶圆厂生产出来后,切割减薄之前的检测;可以将晶圆探针测试理解为晶圆经过切割减薄工序后成为一片片独立的芯片(chip)之后的检测;可以将成品测试理解为芯片封装成成品后的检测。
目前,针对成品测试阶段,对封装成品进行测试的项目相同,即对每一项测试内容均进行测试,这种测试方式没有针对性,可能造成一些非必要的检测过程,浪费了测试资源且测试效率较低。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种测试项目确定方法、测试项目确定装置、存储介质和电子设备,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的集成电路成品测试阶段效率较低的问题。
根据本公开的一个方面,提供一种测试项目确定方法,应用于集成电路芯片测试的成品测试阶段,包括:获取当前集成电路芯片测试过程中成品测试阶段之前的测试数据;确定测试数据中与成品测试阶段相关的特征数据;根据特征数据确定成品测试阶段的测试项目。
可选地,确定测试数据中与成品测试阶段相关的特征数据包括:将测试数据输入一训练后的自编码器网络,以确定测试数据中与成品测试阶段相关的特征数据。
可选地,测试项目确定方法还包括:确定历史各集成电路芯片测试过程中成品测试阶段之前的历史测试数据;基于各历史测试数据以及各历史测试数据对应的成品测试阶段的测试项目训练自编码器网络。
可选地,根据特征数据确定成品测试阶段的测试项目包括:利用自编码器网络确定各历史测试数据中与成品测试阶段相关的历史特征数据;确定与特征数据相似的历史特征数据对应的成品测试阶段的测试项目,作为当前集成电路芯片中成品测试阶段的测试项目。
可选地,将各历史特征数据中与特征数据满足预设相似度要求的历史特征数据作为与特征数据相似的历史特征数据。
可选地,确定与特征数据相似的历史特征数据对应的成品测试阶段的测试项目包括:对历史特征数据进行聚类,以确定多个类簇;确定特征数据对应的特征向量距各类簇的距离,并根据各距离确定特征数据对应的测试项目。
可选地,测试数据为晶圆探针测试阶段产生的测试数据。
根据本公开的一个方面,提供一种测试项目确定装置,应用于集成电路芯片测试的成品测试阶段,该测试项目确定装置可以包括测试数据获取模块、特征数据确定模块和测试项目确定模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





