[发明专利]一种TOPCon结构电池的制备方法在审
| 申请号： | 201811043903.2 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109148647A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 瞿辉;徐春;梅静静 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213164 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 高温处理 结构电池 去除 掺杂薄膜硅层 隧穿氧化层 产品性能 多晶硅层 硅片表面 双面钝化 烧结 碱清洗 酸清洗 刻蚀 丝印 掩膜 制绒 生产工艺 氧气 背面 清洗 生长 | ||
1.一种TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
①清洗、制绒；
②硼扩制备pn结，并进行高温处理；
③高温处理后控制温度至850-900℃，通入氧气在硅片表面生长一层BSG层，其厚度大于等于50nm；
④以硼扩层为正面，对背面进行单面酸清洗刻蚀；
⑤制备隧穿氧化层和掺杂薄膜硅层；
⑥对正面进行单面碱清洗，去除正面因绕镀产生的多余的多晶硅层；
⑦去BSG/PSG；
⑧双面钝化；
⑨丝印烧结。
2.根据权利要求1所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：步骤④中所述单面酸清洗刻蚀具体为：采用质量百分比浓度为20%-25%的氢氟酸溶液进行，使硅片漂浮在溶液上，所述硅片背面朝下；利用氢氟酸溶液腐蚀掉背面SiO2层后清洗、干燥。
3.根据权利要求2所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：对硅片进行酸清洗过程中所述硅片正面喷洒形成有水膜层。
4.根据权利要求1所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：步骤⑥中所述单面碱清洗具体为：采用质量百分比浓度为20%-50%的四甲基氢氨溶液进行，使硅片漂浮在溶液上，所述硅片正面朝下；利用四甲基氢氨溶液去除多余的多晶硅层后清洗、干燥。
5.根据权利要求4所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：对硅片进行单面碱清洗时所述硅片背面喷洒形成有水膜层。
6.根据权利要求4所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：步骤⑥在链式清洗机内进行，所述四甲基氢氨溶液温度控制在40-60℃。
7.根据权利要求1所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：步骤⑦中采用质量百分比浓度为20%-25%的氢氟酸溶液进行去除。
8.根据权利要求1所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：步骤②中高温处理的温度为950-1000℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
