[发明专利]用于减少环境光在发射显示器中的反射的方法和系统在审
| 申请号: | 201811043790.6 | 申请日: | 2018-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN109473457A | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
| 发明(设计)人: | F·S·J·切斯特曼;A·韦特赛朋斯 | 申请(专利权)人: | 巴科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈斌 |
| 地址: | 比利时*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示器 环境光 反射 发射显示器 有机发光二极管 系统描述 反射层 光损耗 | ||
1.一种显示系统,包括:
-显示器,所述显示器具有内部发射光源并具有光吸收层,其中,来自所述内部发射光源的内部光具有光谱发射带,并且其中,所述光吸收层具有至少一个光谱吸收带和至少一个光谱透射带,
-至少一个外部光源,其中,来自所述至少一个外部光源的外部光具有至少一个外部光谱发射带,
其特征在于
-所述外部光源被选择成使得在所述至少一个外部光谱发射带中的每一者的半峰全宽内的波长范围与在所述内部光的光谱发射带中的任何一者的半峰全宽内的波长范围没有交叠,以及
-所述吸收层被选择并放置成使得所述外部光的所述至少一个外部光谱发射带中的每一者与所述吸收层的光谱吸收带交叠,以使得所述外部光的吸光率是至少50%,以及
-所述内部光源的光谱发射带与所述吸收层的光谱透射带交叠,以使得所述内部光源中的每一者的光的透射率是至少45%。
2.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述吸收层被选择成使得所述外部光的所述至少一个光谱发射带中的每一者与所述吸收层的光谱吸收带交叠,以使得所述外部光的吸光率是至少60%、70%或高达80%或等效方案。
3.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述内部光源的光谱发射带与所述吸收层的光谱透射带交叠,以使得所述内部光中的每一者的透射率是至少55%、65%或高达75%或等效方案。
4.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,多个外部光源中的每一者的贡献被适配成使得所有光源一起提供白光。
5.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,包括抗反射涂层,所述抗反射涂层被配置成减少所述外部光的光谱发射带中的反射。
6.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,包括抗反射涂层,所述抗反射涂层被配置成:增强所述内部光的光谱发射带的透射,或者可任选地主要增强所述内部光的光谱发射带中的透射。
7.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,包括光散射层,所述光散射层被放置成接收由所述吸收层透射的内部光。
8.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述内部发射光源包括第一内部光源、第二内部光源和第三内部光源,每个内部光源分别在波长范围440nm–481nm、503nm–569nm和588nm–664nm中发射该内部光源的光发射的总能量的至少80%。
9.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述内部发射光源包括第一内部光源、第二内部光源和第三内部光源,其中,所述第一内部光源、所述第二内部光源和所述第三内部光源的强度被调谐成使得由所述吸收层透射的光是白光。
10.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述外部光源被配置成:在波长范围482nm–502nm或570nm–587nm中发射所述外部光源的光发射的总能量的至少80%。
11.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述外部光源包括第一外部光源和第二外部光源,每个外部光源分别在波长范围482nm–502nm和570nm–587nm中发射该外部光源的光的总能量的至少80%。
12.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述吸收层在波长范围482nm–502nm或570nm–587nm中的吸光率使得在所述波长范围中所述外部光的至少80%被吸收。
13.如权利要求1所述的显示系统,其特征在于,所述吸收层在波长范围440nm–481nm、503nm–569nm和588nm–664nm中的透射率使得在所述波长范围中所述内部光源中的每一者的光的至少50%被透射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





