[发明专利]氧化锆陶瓷抛光方法及氧化锆陶瓷制品

说明书

本发明公开了氧化锆陶瓷抛光方法及氧化锆陶瓷制品。上述的氧化锆陶瓷抛光方法，包括如下步骤：氧化锆陶瓷在具有第一磨料与水的转动容器内分四个不同转速、不同时间的阶段转动，进行粗抛；氧化锆陶瓷在具有第二磨料与水的转动容器内分四个不同转速、不同时间的阶段转动，进行细抛；氧化锆陶瓷在具有第三磨料与水的转动容器内分四个不同转速、不同时间的阶段转动，进行精抛；氧化锆陶瓷制品由上述的氧化锆陶瓷抛光方法制备而成。本发明所述氧化锆陶瓷抛光方法，可减少产品缺陷、提高抛光效率。

技术领域

本发明涉及氧化锆陶瓷表面处理技术领域，具体涉及氧化锆陶瓷抛光方法及氧化锆陶瓷制品。

背景技术

陶瓷产品的抛光方法一般采用打磨或者滚光的方式，较多采用的是滚光的方式。滚光是通过滚筒与产品的快速碰撞而完成的抛光过程，目前的陶瓷产品滚光，基本是分粗抛和精抛两个过程，而且基本采用一个速度，粗抛去除刀纹只需六小时左右，精抛若时间短的话因表面粗糙度过大精抛无法抛亮，并且精抛若转速过快容易划伤产品导致产品缺陷，无法达到现在的智能穿戴陶瓷设备的外观要求，为了消除划伤只能用较慢的转速，增加精抛时间，这样就影响了抛光的效率。

发明内容

基于此，本发明有必要提供一种可减少产品缺陷、提高抛光效率的氧化锆陶瓷抛光方法。

本发明还有必要提供一种氧化锆陶瓷制品。

为了实现本发明的目的，本发明采用以下技术方案：

一种氧化锆陶瓷抛光方法，其包括如下步骤：

在转动容器内加入第一磨料与水，将氧化锆陶瓷加入所述的转动容器内，所述转动容器依次至少分以下四个阶段转动，第一阶段：转速85r/min-100r/min，时间10min-20min；第二阶段：转速135r/min-165r/min，时间700min-800min；第三阶段：转速120r/min-140r/min，时间45min-80min；第四阶段：转速100r/min-120r/min，时间45min-80min；

在转动容器内加入第二磨料与水，将所述的氧化锆陶瓷加入所述的转动容器内，所述转动容器依次至少分以下四个阶段转动，第一阶段：转速85r/min-100r/min，时间10min-20min；第二阶段：转速135r/min-165r/min，时间250min-300min；第三阶段：转速120r/min-140r/min，时间0.5min-3min；第四阶段：转速100r/min-120r/min，时间0.5min-3min；

在转动容器内加入第三磨料与水，将所述的氧化锆陶瓷加入所述的转动容器内，所述转动容器依次至少分以下四个阶段转动，第一阶段：转速85r/min-100r/min，时间10min-20min；第二阶段：转速135r/min-165r/min，时间450min-480min；第三阶段：转速120r/min-140r/min，时间50min-80min；第四阶段：转速100r/min-120r/min，时间340min-400min。

上述的氧化锆陶瓷抛光方法，采用粗抛、细抛及精抛三个阶段进行抛光，每个阶段分至少四个不同的阶段，每一阶段采用合适的转速，转动合适的时间，粗抛将氧化锆陶瓷的表面粗糙度降至抛光要求，控制氧化锆陶瓷的菱角大小，精抛给氧化锆陶瓷上光，提高表面光洁度，各个时间段的速度和时间准确地控制，实现各阶段的抛光目的，这样细抛和精抛均不需要较大的转速和较长的时间，既减少了氧化锆陶瓷产品的缺陷，又提高了抛光的效率。

其中一些实施例中，所述第一磨料为高频瓷与碳化硅，所述高频瓷与碳化硅的质量比为14-22：1。

其中一些实施例中，所述高频瓷的平均粒径为30mm-40mm，所述碳化硅的平均粒径为15μm-20μm。

其中一些实施例中，所述第二磨料为高频瓷与碳化硅，所述高频瓷与碳化硅的质量比为14-22：1。