[发明专利]版图的拆分方法与拆分系统有效
申请号: | 201811038230.1 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109188857B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 马乐;韦亚一 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 版图 拆分 方法 系统 | ||
本申请提供了一种版图的拆分方法与拆分系统。该拆分方法包括:将版图中的至少一部分按照预拆分规则进行多种预拆分,形成多种版图组;对不同的版图组进行仿真,得到各版图组的坏点总数;提取坏点总数最少的版图组对应的拆分规则,以对版图进行拆分。该拆分方法中,先进行预拆分,该拆分过程将版图按照多种方式拆分为多种版图组,然后,对各版图组进行仿真,得到各种版图组的坏点总数,最后,比较各版图组的坏点总数,提取坏点总数最少的版图组对应的拆分规则,以对所述版图进行拆分。该拆分方法中最终的拆分方案是坏点总数最少的拆分方案,这样能够保证拆分得到的掩模图形的成像效果相对较好。
技术领域
本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种版图的拆分方法与拆分系统。
背景技术
当光刻机所能提供的分辨率无法满足技术节点要求的时候,需要双重曝光技术。例如1.35NA的193nm浸没式光刻机能够提供36-40nm的半周期分辨率,配合双重曝光技术才能满足28nm以下逻辑技术节点的要求。
双重曝光技术的核心是把原来一层设计的图形拆分到两个掩模上,常用方法之一是用两次光刻和刻蚀来实现原来一层设计的图形。
28nm以下节点的关键光刻层-通孔层(via/contact)的图形只有少数甚至单一特定关键尺寸(CD)的一维化规则图形,一般为正方形和长方形。如图1所示。
通孔层的拆分基本规则(ground rule)一般只简单地指出必须拆分的两个形状的最小距离。仅使用基本拆分规则对版图进行拆分,面临拆分后两掩模图形曝光成像效果仍然有部分图形出现坏点(hot spot,也称热点)的问题,而曝光成像效果是重中之重。虽然修改版图设计可以解决坏点的问题,但那是最迫不得已的手段且稍显复杂,同时也会延误工期。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解,因此,背景技术中可能包含某些信息,这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种版图的拆分方法与拆分系统,以解决现有技术中仅仅按照现有的拆分方式拆分得到的掩模图形的成像效果较差的问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种版图的拆分方法,该拆分方法包括:将版图中的至少一部分按照预拆分规则进行多种预拆分,形成多种版图组;对不同的上述版图组进行仿真,得到各上述版图组的坏点总数;提取上述坏点总数最少的上述版图组对应的拆分规则,以对上述版图进行拆分。
进一步地,上述将版图中的至少一部分按照预拆分规则进行多种预拆分,包括:选择上述版图中的部分作为拆分版图;对上述拆分版图进行多种上述预拆分。
进一步地,在上述将版图中的至少一部分按照预拆分规则进行多种预拆分之前,上述拆分方法还包括:对拆分版图中多种不同相邻两个图案的组合进行仿真,以得到各上述组合中两个图案在不同间隔时的坏点数;当上述坏点数大于预定值时,确定对应的上述组合中两个图案的间隔范围为预拆分范围;基于上述预拆分范围,确定上述预拆分规则。
进一步地,上述预拆分规则为穷举规则。
进一步地,上述预定值为A,且0≤A≤2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中国科学院微电子研究所;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811038230.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掩模板框架、掩模板及其制作方法、张网机
- 下一篇:一种掩模板及其制作方法