[发明专利]电子装置及其操作方法有效
申请号: | 201811037728.6 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN110880353B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 柳弼相;何文乔 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种电子装置,具有多个存储单元,包括:
多个闩锁器,耦接至所述多个存储单元,并配置为分别监控所述多个存储单元的存储数据;
上电重置生成器,耦接至所述多个闩锁器,并配置为根据至少一存储单元的数据损坏,生成上电重置脉冲以重置所述电子装置;以及
硬件编码电路,耦接至所述上电重置生成器,并配置为提供硬件编码数据至所述上电重置生成器,
其中根据所述多个存储单元的所述存储数据与相对应的所述硬件编码数据,在所述电子装置的初始化操作期间检测所述数据损坏,
其中所述多个闩锁器以预设工作电源电压降低阈值电压的电压来操作。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述多个存储单元为内容可编址存储单元。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述多个闩锁器的每一者包括:
第一反相器;
第二反相器,耦接至所述第一反相器;以及
具有所述阈值电压的晶体管,耦接至所述第一反相器和所述第二反相器,
其中所述第一反相器的输出端耦接至所述第二反相器的输入端,所述第一反相器的输入端耦接至所述第二反相器的输出端。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其中所述晶体管的控制端耦接至所述晶体管的漏极端。
5.根据权利要求1所述的电子装置,其中
所述上电重置生成器包括多个逻辑电路;
所述多个逻辑电路的每一者耦接至所述多个闩锁器的一者与所述硬件编码电路以接收由所述多个闩锁器所监测的所述存储数据和相对应的所述硬件编码数据,并配置为在所接收的所述存储数据和所接收的所述硬件编码数据中执行逻辑操作,以输出结果;以及
根据所述逻辑操作的所述结果生成所述上电重置脉冲。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其中所述逻辑电路是异或电路,所述逻辑操作是异或操作,且当至少一存储单元的所述存储数据不同于相对应的所述硬件编码数据时生成所述上电重置脉冲。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述多个闩锁器的每一者包括:
多个反相器;以及
具有所述阈值电压的晶体管,直接连接在所述预设工作电源电压与所述多个反相器的多个第一端之间,
其中所述多个反相器的工作电压等于所述预设工作电源电压与所述阈值电压之间的电压差。
8.一种操作方法,适用于具有多个存储单元的电子装置,包括:
监控感测自所述多个存储单元的存储数据;
根据所述存储数据与相对应的硬件编码数据,在所述电子装置的初始化操作期间检测数据损坏;以及
根据所检测的所述数据损坏,生成上电重置脉冲以重置所述电子装置,
其中由所述多个存储单元感测的所述存储数据由多个闩锁器分别监控,且所述多个闩锁器以预设工作电源电压降低阈值电压的电压来操作。
9.根据权利要求8所述的操作方法,其中所述检测所述数据损坏并生成所述上电重置脉冲的步骤包括:
在所述存储数据和相对应的所述硬件编码数据中执行逻辑操作以输出结果;以及
根据所述逻辑操作的所述结果生成所述上电重置脉冲。
10.根据权利要求9所述的操作方法,其中所述逻辑操作是异或操作,且当所述存储数据不同于相对应的所述硬件编码数据时生成所述上电重置脉冲。
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